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服务器内存技术 目录 内存 是 么 什 ？ 首页 1 页 部件名称 说明 1 PCB板 多为绿色，4层或6层的电路板，内部有金属布线，6层设计要比4层的电气性能好，性能更稳定，名牌内存多采用6层设计。 2 金手指 金黄色的触点，与主板连接的部分，数据通过“金手指”传输。金手指是铜质导线，易氧化，要定期清理表面的氧化物。 3 内存芯片 是内存的灵魂所在，决定着内存的性能、速度、容量等，也叫内存颗粒。市场上内存种类很多，但内存颗粒的型号却并不多，常见的有HY、KINGMAX、WINBOND、TOSHIBA、SEC、MT、Apacer等几种品牌。不同品牌的内存颗粒，速度、性能不尽相同。 4 内存颗粒位 预留的一片内存芯片位置，供其他采用这种封装模式的内存条使用。此处预留的是一个ECC校验模块位置。 5 内存固定缺口 内存插到主板上后，主板内存插槽的两个夹子便扣入该缺口，可以固定内存条。 6 内存脚缺口 防止反插，也可以区分以前的SDRAM内存条，以前的SDRAM内存有两个缺口。 7 SPD 是一个八脚的小芯片，实际上是一个EEPROM，可擦写存储器。有一定的容量，里面的每一位都代表特定的意思，包括内存的容量、组成结构、性能参数和厂家信息。 2 页 内存 中 的 名 词 名词解释： 内存容量：是指一根内存条可以容纳的二进制信息量，一般以MB为单位。 工作频率：内存的工作频率表示的是内存的传输数据的频率，一般使MHz为单位。 数据带宽：数据带宽是指内存的数据传输速度，也就是内存一次能处理的数据宽度。它是衡量内存性能的重要标准。 数据位宽：是指在一个时钟周期内可以传送数据的长度。 CAS的延迟时间：Column Address Strobe列地址信号。CAS的延迟时间就是指内存纵向地址脉冲的反应时间，用CL（CAS Latency）来表示。 工作电压：内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压也不同，各有各的规格，不能超出规格，否则会损坏内存。SDRAM3.3V；DDR1为2.5V；DDR2为1.8V；DDR3为1.5V1.35V；DDR4为1.2V-1.05V。 RANK：CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个时钟周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据。可是，单个内存颗粒的位宽仅有4bit、8bit或16bit，个别也有32bit的。因此，必须把多个颗粒并联起来，组成一个位宽为64bit的数据集合，才可以和CPU互连。生产商把64bit集合称为一个物理BANK（Physical BANK），简写为P-BANK。为了和逻辑BANK相区分，也经常把P-BANK称为RANK或Physical RANK,把L-BANK则简称为BANK。 3 页 内存 中 的 名 词 内存相关单位计算： 内存带宽： 内存带宽总量（Mbytes）＝最大时钟速频率（MHz） （内部频率）×总线宽度（bits）×每时钟数据段数量／8 内存带宽=内存工作频率（外部输出频率）×内存总线带宽 ÷8×通道数 例如： DDR3 1333 内存 单一内存：1333 × 64 ÷8=10.664GB/s 单路双通道带宽：1333 × 64 ÷8 × 2=21..328GB/s 双路三通道带宽：1333 × 64 ÷8 × 3× 2=63.984GB/s 内存 的 分 类 ！ 4 页 按照其工作原理可将内存分为RAM和ROM两大类。 1、RAM(随机存取存储器) 　 RAM中存取的数据断电后会丢失，只能在开机运行时存储数据。 　(1)SRAM(静态RAM)：因其读写速度快，通常作为Cache(高速缓存)。 　(2)DRAM(动态RAM)：通常为我们所说的内存条。 　 SDRAM(同步动态随机内存)：采用同步技术，工作频率与系统的外频相同。 DDR SDRAM：它可以在时钟脉冲的上升沿和下降沿同时传输数据，而 SDRAM只在信号的上升沿时读取数据，因此其速度是标准SDRAM的两倍。 内存 的 分 类 ？ DDR II：基于四倍率QDR技术，每个时钟周期能进行4次数据传输，而且QDR技术在提高带宽时不会增加信号干扰。 DDR III:八倍于外部总线频率，每个时钟周时期8次数据传输。 (3)MRAM(磁性内存)：不必时刻刷新，可以在没有电力的情况下依靠磁的极性来保存数据。 2、ROM(只读存储器) 　 ROM断电后数据保持不变。 　(1)PROM(可编程只读存储器)：只允许用户写入一次。 　(2)EPROM(可擦写可编程只读存储器)：具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程，但缺点是擦除时需要使用紫外线照射一定的时间。 　(3)EEPROM(电可