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* * 第五章 半导体器件 半导体基本知识 半导体二极管 半导体三极管 场效应晶体管 云南大学软件学院 §5.1.1 P型半导体和N型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共 价 键 价 电子 +5 +3 自由 电子 空穴 N型半导体：含有较多带负电的自由电子 P型半导体：含有较多带正电的空穴 §5.1.2 PN 结及其单向导电特性 将P型半导体和N型半导体结合在一起，在结合处即形成了一个PN结。 P N 电流持续增加使得PN结烧坏 反向饱和电流 反向击穿电压 死区电压 正向导通电压 §5.2 半导体二极管 二极管的结构 阳 极 阴 极 电流方向 二极管的伏安特性曲线 Si 管 Ge 管 例1：已知输入电压波形，画出输出电压波形 解：分析二极管电路时，可以假设二极管为理想的，即正向导通电压为0. + - + - 稳压管 稳压管是一种特殊的二极管，它在反向击穿时不但不会被烧坏，还可以将端电压保持在一个固定的范围之内。 阳极 阴极 接电源 正极 接电源 负极 稳定电压 稳定电流 最大耗散功率 ~ ~ 例3：如图稳压管电路，分别求 解：（1） + - 断开稳压管支路，则有 + - 此时稳压管处于反向击穿状态，即稳压状态，使得 （2） 断开稳压管支路，则有 此时稳压管处于截止状态， §5.3 半导体三极管（简称 BJT ） N P N 集电区 基区 发射区 集电结 基极 b 发射结 集电极 c 发射极 e Si 管多为 NPN 型 c e b Ge 管多为 PNP 型 P N P b c e c e b N P N b c e BJT 的放大原理和电流关系 在 BJT 上加一定电压，使得发射结正偏，集电结反偏 对于 NPN 型 BJT，即 b c e 如上图，选择电阻 、 的值使得 则各电流的关系为 各电流变化量的关系为 通常 ，因此二者均用 来表示，称为 BJT 的电流放大系数 的值在几十到几百之间 BJT 的特性曲线 常用的 BJT 特性曲线有输入曲线和输出曲线。 + - + - 将 BJT 接成如右的电路。 输入特性曲线 输出特性曲线 饱和区 截止区 过损耗区 放大区 UCE=0 UCE=1 均用 来表示。 BJT 的主要参数 直流电流放大系数 交流电流放大系数 通常 因此二者可以混用， 直流电流放大系数 交流电流放大系数 同样 ， 二者均用 来表示。 与 的关系： §5.3 场效应晶体管（简称 FET ） 结型场效应管（JFET） N 沟道 JFET P 沟道 JFET 绝缘栅场效应管（IGFET） 目前常用的 IGFET 是以二氧化硅为绝缘层的金属—氧化物—半导体型场效应管，简称 MOS 管。 MOS 管 N 沟道 增强型 MOS（增强型 NMOS ） P 沟道 增强型 MOS（增强型 PMOS ） N 沟道 耗尽型 MOS（耗尽型 NMOS ） P 沟道 耗尽型 MOS（耗尽型 PMOS ）