第3章 集成逻辑门.pptVIP

* 第3章 集 成 逻 辑 门 第3章 集成逻辑门 3.1 数字集成电路的分类 3.2 TTL集成逻辑门 3.3 CMOS集成逻辑门 3.4 集成门电路使用中的实际问题 3.1 数字集成电路的分类 数字集成电路 1. 双极型晶体管集成电路 （1）晶体管-晶体管逻辑（TTL） （2）射极耦合逻辑(ECL） （3）集成注入逻辑(I2L-Integrated Injection Logic)等 2. 单极型MOS 集成电路（ PMOS、NMOS、和CMOS等） PMOS是早期产品；NMOS 适合设计存储器和微处理器；CMOS功耗低，抗干扰能力强，大规模集成电路都用CMOS工艺，适合设计通用逻辑电路。 BJT的开关特性 iB?0，iC?0，vO=VCE?VCC，c、e极之间近似于开路。截止 vI=0V时: iB?iBS ，vO=VCE?0.2V，c、e极之间近似于短路。饱和 vI=5V时: BJT相当于受vI控制的电子开关。 PN节导通压降0.7V，三极管饱和压降0.3V，深度饱和时管压降0.1V UIL=0.3V， UIH=3.6V 3.2 TTL集成逻辑门 3.2.1 TTL与非门的工作原理 图3.2.1 典型TTL与非门电路 输入级 倒相级 输出级 (1) 输入级：由V1和电阻R1组成，相当一个与门。 设二极管V1~V4 的正向管压降为0.7 V，当输入信号A、B、C中有一个或一个以上为低电平(0.3V)时，Ub1=1V，Uc=0.3V；当A、B、C全部为高电平(3.6V)时，Ub1=4.3V，Uc=3.6V。可见，仅当所有输入都为高时，输出才为高，只要有一个输入为低，输出便是低，所以起到了与门的作用。 ② 中间级。由V2、R2、R3组成，在V2的集电极与发射极分别可以得到两个相位相反的电压，以满足输出级的需要。 ③ 输出级。由V3、V4、V5和R4、R5组成，这种电路形式称推拉式电路，它不仅输出阻抗低，带负载能力强， 而且可以提高工作速度。 1. 输入全部为高电位(3.6 V) V1是处于倒置放大状态，V2饱和，V3导通，V4截止、V5饱和，输出低电平 3.6V 2.1V 0.7V 1.4V 1V 0.3V 2. 输入端至少有一个为低电位(0.3 V) V1深饱和，V2截止，V3、V4导通、V5截止，输出高电平。 0.3V 1V 0.4V 3.6V 5V 表 3-1 TTL与非门各级工作状态 关门 高电位UOH 截止 导通 微饱和 截止 深饱和 至少有一个为低电位 开门 低电位UOL 饱和 截止 导通 饱和 倒置工作 全部为高电位 与非门状态 输 出 V5 V4 V3 V2 V1 输 入 输出和输入间满足与非逻辑 TTL与非门具有较高的开关速度,带负载的能力强。 3.2.2 TTL与非门的特性与参数 1. 电压传输特性 图3.2.3 TTL与非门的电压传输特性 一般产品规定 UOH≥2.4V UOL＜0.4V UON≥2V UOFF＜0.8V UT=1.3V 噪声容限 UNL= UOFF- UOL UNH= UOH- UON 　　2.输入特性 　　输入特性是指输入电流与输入电压之间的关系曲线 　　设Ii由信号源流入V1发射极时方向为正，反之为负。当Ui＜UT时，Ii为负，即Ii流入信号源，对信号源形成灌电流负载；当Ui ＞UT时, Ii为正，Ii流入TTL门，对信号源形成拉电流负载。 Ui ＞7V和Ui -1V，V1可能烧毁。 　　3. 输入负载特性 　　输入电压Ui随输入负载Ri变化的曲线 使与非门截止，必须UI≤UOFF 若UOFF=0.8V，R1=3kΩ，可得Ri≤0.7kΩ 使与非门导通，必须UI ≥ UoN 典型TTL与非门，RON=2kΩ，即Ri≥RON 关门电阻ROFF, Ri≤ ROFF 开门电阻RON, Ri ≥RON 4. 输出特性 图3.2.8 TTL与非门输出低电平的输出特性 V5饱和，形成灌电流，为了保证UOL≤0.35V，应使IL≤25mA 与非门处于开态时，输出低电平 (2) 与非门处于关态时，输出高电平 V5截止，V3微饱和，V4导通，负载电流为拉电流，要求负载电流IL≤14mA，允许的最小负载电阻RL约为170Ω。 5. 扇入系数和扇出系数 扇入系数NI指门的输入端数，制造时确定，一般N I≤5。 扇出系数NO是指一