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设计指标：
AV250，Ri≥10kΩ，RL=5.1kΩ， BW=50Hz~50kHzD5% 。mV≤Vi≤5mV，Rs=50Ω，电源电压：VCC=12V；
半导体三极管9013，参数：β=100，rbb’=300Ω，Cμ=5pF，fT=150MHz3V≤VCC≤20V， PCM=625mW，ICM=500mA，V(BR)CEO=40V。
1．电路选型：
小信号放大电路选用如图1所示两级阻容耦合放大电路，偏置电路采用射极偏置方式，为了提高输入电阻及减小失真，满足失真度D5%的要求，各级射极引入了交流串联负反馈电阻。
2．指标分配：
要求AV250，设计计算取AV=300，其中T1级AV1=12，AV2=25；Ri≥10kΩ要求较高，一般，T1级需引入交流串联负反馈。
3．半导体器件的选定
指标中，对电路噪声没有特别要求，无需选低噪声管；电路为小信号放大，上限频率fH=50kHz，要求不高，故可选一般的小功率管。现选取NPN型管9013，取β=100。
4．各级静态工作点设定
动态范围估算：T1级：
T2级：，
为避免饱和失真，应选： ；可见
T1级VCEQ1可选小些，T2级VCEQ2可选大些。
T1级静态工作点确定：
T2级静态工作点确定：
一般应取 ，
选 ：
5．偏置电路设计计算（设）
T1级偏置电路计算：
故： 取标称值120 kΩ
选120 kΩ /
取标称值62 kΩ
选62 kΩ /
取标称值9.1kΩ
选9.1 kΩ /
T2级偏置电路计算：
故： 取标称值68 kΩ
选68 kΩ /
取标称值36 kΩ
选 36 kΩ /
取标称值3.9kΩ
选 3.9 kΩ /
6．静态工作点的核算
T1级：
符合设计要求。
符合设计要求。
7．电容器的选择
C1：
C2：
C3：
Ce1：
取Ce1=47μF 选Ce1 47μF/16V
Ce2：
取Ce2=47μF 选Ce2 47μF/16V
8.指标核算
Ri=18..7kΩ10kΩ 满足设计要求
RL1=Ri2=6.1kΩ
满足设计指标要求。
核算、：
：
：
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