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電子資訊與研究中心 計畫名稱：毫米波單平面次諧波混頻器之研製 研究者：張志揚 經費來源：國家科學委員會(國防科技學術合作協調小組) 關鍵詞：單平面；混頻器；次諧波；Ka頻段 在本報告中提出兩類有效的設計在Ka頻段單平面式次諧波混頻器的方法，第一類是使用單端式混頻器的設計方法，設計一個雙頻通道器（Diplexer）並使用一對正反相接的二極體去完成設計；另一類設計方式是使用單平衡式混頻器的設計方式，此種方法提供兩種設計方式，第一類是利用一個寬頻Balun及兩對正反相接的二極體來完成設計以及一個RF端的帶通濾波器，第二類和第一類一樣使用相同的Balun，但將原先的帶通濾波器換成一個由集總元件製成的高通濾器以及將原先的兩對正反相接的二極體對換成兩顆單一的二極體。所有設計方均可涵蓋整個Ka頻段。 N87006 NSC 87-2623-D-009-006 ------------------------------------------------------------------------------------------------------- 計畫名稱：無線通訊應用高功率密度及高效率砷化鎵高電子遷移率電晶體之研製 研究者：張俊彥 經費來源：國防工業發展基會 關鍵詞：無線通訊；砷化鎵；高電子遷移率電晶體；功率電晶體 近年來無線通訊技術突飛猛進，未來一、二十年將是無線通訊發展的重要時代。無線通訊需要高功率密度與高效率的功率電晶體。由於砷化鎵材料的高電子遷移特性，非常適合製造高功率密度與高效率元件，因此砷化鎵元件對未來無線通訊之應用將有重要的影響。本計畫之目的在於研究發展以砷化鎵材料危機才的高電子遷移率電晶體（high electron mobility transistor），研究其直流及微波特性，並進而應用於無線通訊系統上。 由於目前應用於無線通訊的砷化鎵場效電晶體所產生的輸出功率密度並不高，限制了其在低操作電壓的無線通訊系統上的應用。本計畫將首次採用δ-摻雜結構的高電子遷移率電晶體，將其應用於無線通訊上。δ-摻雜結構的元件通道具有高密度及高電子遷移率的載子；高傳導帶差距有效將載子侷限載通道中；高能帶的AlGaAs提高蕭特基閘極障壁。這些特性可有效提高輸出功率密度及效率。本計畫將完成以下目標：（1）完成無線通訊用高電子遷移率前段製程技術。（2）完成高功率輸匹配量測技術。（3）完成通過先進無線通訊系統規格驗證之高電子遷移率電晶體。 A87017 ----------------------------------------------------------------------------------------- 計畫名稱：玻璃基板中Mobil Ion 對TFT 元件可靠性之研究 研究者：張俊彥 經費來源：工研院電子所 關鍵詞：非晶矽；薄膜電晶體；玻璃基板；MOBIL ION；可靠性 在本計畫中，我們利用自行設計組裝之「電漿輔助化學氣相沈積系統」（Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition system; 以下簡稱PECVD），進行玻璃基板上單晶矽薄膜電晶體之可靠性的影響。最終目的是研究與探討玻璃基板中Mobil Ion對TFT元件可靠度的研究。 在整個研究過程中，首先開發非晶係材料，閘極絕緣層（gate insulator）等一般薄膜電晶體所需之重要材料，其次分別完成玻璃基板上及單晶矽基板上薄膜電晶體之工作特性，包括臨線電壓質、開/關電流筆、元件場效載子遷移率極元見可靠性的量測，還有基板、閘極絕緣曾與非晶矽膜的介面效應，最後將這些結果整合分析，發現玻璃基板中Mobil Ion 確實對TFT元件可靠性有某些影響。因此，在大面積玻璃基板上製作TFT元件時，亦要注意如何將玻璃基板中的Mobil Ion 數量降到最低，以提高TFT元件的可靠性。 玻璃基板在送進成長腔室進行薄膜沈積之前的潔淨度處理，不警影響其沈積薄膜的特性與品質，而且也對TFT元件特性產生不同的影響。對於潔淨度處理不當的玻璃基板，發現其Mobil Ion 數量（鈉離子）較多，並且很難在玻璃基板上沈積出可用的薄膜。相反的，對於潔淨度處理較好的玻璃基板，發現其Mobil Ion 數量已減少許多，沈積在玻璃基板上的薄膜特性與品質也比較接近那些沈積在單晶矽基板上的薄膜。在潔淨度處理越好（Mobil Ion 數量越少）的玻璃基板上製作TFT元件，其對元件特性越好，元件可靠度越高。 E87011 ----------------------------------------------------------------------------------------- 計畫名稱：多晶矽薄膜電晶體之氫