chapter 19 baic semiconductor physicschapter 19 basic semiconductor physicschapter 19 basic semiconductor physicschapter 19 basic semiconductor physics.ppt
- 1、本文档共17页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
Semiconductor Physics - * Copyright ? by John Wiley Sons 2003 Review of Basic Semiconductor Physics Current Flow and Conductivity ? Charge in volume A?x = ?Q = q n A ? x = q n A v?t ? Current density J = (?Q/?t)A-1 = q n v ? Metals - gold, platinum, silver, copper, etc. ? n = 1023 cm-3 ; ? = 107 mhos-cm ? Insulators - silicon dioxide, silicon nitride, aluminum oxide ? n 103 cm-3 ; ?? 10-10 mhos-cm ? Semiconductors - silicon, gallium arsenide, diamond, etc. ? 108 n 1019 cm-3 ; 10-10 ???? 104 mhos-cm Thermal Ionization ? Si atoms have thermal vibrations about equilibrium point. ? Small percentage of Si atoms have large enough vibrational energy to break covalent bond and liberate an electron. Electrons and Holes ? T3 T2 T1 ? Density of free electrons = n : Density of free holes = p ? p = n = ni(T) = intrinsic carrier density. ? ni2(T) = C exp(-qEg/(kT )) = 1020 cm-6 at 300 ?K ? T = temp in ?K ? k = 1.4x10-23 joules/ ?K ? Eg = energy gap = 1.1 eV in silicon ? q = 1.6x10-19 coulombs Doped Semiconductors ? Extrinsic (doped) semiconductors:p = po ≠ n = no ≠ ni ? Carrier density estimates: ? Law of mass action nopo = ni2(T) ? Charge neutrality Na + no = Nd + po ? P-type silicon with Na ni: po ≈ Na , no ≈ ni2/ Na ? N-type silicon with Nd ni: no ≈ Nd , po ≈ ni2/ Nd Nonequilibrium and Recombination ? Thermal Equilibrium - Carrier generation = Carrier recombination ? n = no and p = po ? Nonequilibrium - n no and p po ? n = no + ?n and p = no + ?n ; ?n = excess carrier density ? Excess holes and excess electrons created in equal numbers by breaking of covalent bonds ? Generation mechanisms -light (photoelectric effect), injection, impact ionization ? Recombination - removal of excess holes and electrons ? Mechanisms - free electron captured by empty covalent bond (hole) or trapped by impurity or crystal imperfection ? Rate equation: d(?n)/dt = - ?n????
您可能关注的文档
- c#基础教程 程序类型 wb应用c#基础教程 程序类型 web应用c#基础教程 程序类型 web应用c#基础教程 程序类型 web应用.ppt
- b睡眠与养生健康b睡眠与养健康生健康.ppt
- c#基础教程 开发工具 的动c#基础教程 开发工具 的启动c#基础教程 开发工具 的启动c#基础教程 开发工具 的启动.ppt
- c#基础教程 开发工具指南开发环境c#基础教程 开发工具指南 开发环境c#基础教程 开发工具指南 开发环境c#基础教程 开发工具指南 开发环境.ppt
- b国内外高层建筑及防火设计展概论1109b国内外高层建筑及防火设计发展概论1109b国内外高层建筑及防火设计发展概论1109b国内外高层建筑及防火设计发展概论1109.ppt
- c#基础教程 扩展示例 返值和通用编码 1c#基础教程 扩展示例 返回值和通用编码 1c#基础教程 扩展示例 返回值和通用编码 1c#基础教程 扩展示例 返回值和通用编码 1.ppt
- c#基础教程 文件及流 输输出操作c#基础教程 文件及流 输入输出操作c#基础教程 文件及流 输入输出操作c#基础教程 文件及流 输入输出操作.ppt
- c#基础教程 生成及调试程 生成设置及调试c#基础教程 生成及调试程序 生成设置及调试c#基础教程 生成及调试程序 生成设置及调试c#基础教程 生成及调试程序 生成设置及调试.ppt
- c#开发android手机用全接触 第1讲(c#)c#开发android手机应用全接触 第1讲(c#)c#开发android手机应用全接触 第1讲(c#)c#开发android手机应用全接触 第1讲(c#).ppt
- c%2b%2b教程%2c从门到精通%2cchap-10c%2b%2b教程%2c从入门到精通%2cchap-10c%2b%2b教程%2c从入门到精通%2cchap-10c%2b%2b教程%2c从入门到精通%2cchap-10.ppt
文档评论(0)