第7章半导体器件试题.ppt

第7章 半导体器件 7.1 半导体的基本知识 一、 本征半导体（纯净半导体） 本征半导体的导电性： 二、 杂质半导体 综上所述： 7.2 半导体二极管 半导体二极管实物图片 二、伏安特性 三、应用: 7.3 稳压二极管 3. 主要参数 7.4 半导体三极管 一、基本结构 二、电流放大原理 2. 各极电流关系及电流放大作用 三、特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 四、主要参数 1. 电流放大系数，? 五、半导体三极管应用 4. 集电极最大允许电流 ICM 5. 集-射极反向击穿电压UCEO (BR) IC超过一定值时，其?值要下降。 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U CEO(BR) 。 6. 集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。 PC ? PCM =IC UCE 硅管允许结温约为150?C，锗管约为70?90?C。 ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 IC UCE O 过损耗区 过流区 反向击穿区 工作在放大状态，利用IB对IC的控制作用。  1.用于交流放大电路中 IC