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三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法 　　摘 要： 二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数，传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件，散热路径热阻难于精确确定，故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件，以晶格自加热效应为基础的漏极持续电流分析方法，并以一颗开关工作状态下的100 V功率VDMOS器件为研究对象，在正向设计阶段分析了功率VDMOS器件漏极持续电流的导通偏置条件。最后通过流片结果验证了该方法的可行性。 　　关键词： 漏极持续电流； 三维集成； 自加热效应； 导通偏置条件 　　中图分类号： TN722.7+3?34； TN104.2?34 文献标识码： A 文章编号： 1004?373X（2016）24?0137?04 　　Analysis method of drain sustained current of 3D power MOSFET 　　LIN Jiexin， YANG Fashun， MA Kui， TANG Zhaohuan， FU Xinghua 　　（College of Big Data and Information Engineering， Guizhou University， Guiyang 550025， China） 　　Abstract： The drain sustained current of 2D power MOSFET is an absolute parameter limited by encapsulation mode and chip design， and is evaluated by the traditional analysis method via the maximum dissipation power of devices. It is difficult to determine the accurate thermal dissipation resistance of the power MOSFET based on 3D integration technology， so a drain sustained current analysis method based on the lattice self?heating effect is proposed for the 3D integration power MOSFET. A 100 V power VDMOS working at switching state is taken as the research object to analyze the breakover bias conditions of the drain sustained current of the power VDMOS in forward design phase. The feasibility of the method was verified by stream chip results. 　　Keywords： drain sustained current； 3D integration； self?heating effect； breakover bias condition 　　功率MOSFET器件作为电力电子设备中的主要元件之一，广泛地应用于各种高速开关电路、开关电源、高功率放大电路、电力转换电路、电机变频调速、控制电路与功率负载之间的开关电路等[1]。目前，高可靠功率MOSFET器件的制作工艺仍然以平面集成工艺为主，器件面积将随着电流容量的增大而增大，而且随着集成度的提高，信号延迟时间及互连线功耗也将越来越大。2007年，国际半导体技术蓝图（ITRS）提出三维集成将成为克服信号延迟导致“布线危机”的关键技术[2]。将多层平面功率MOSFET芯片堆叠起来，通过硅通孔（Through Silicon Via，TSV）来实现各层之间的互连，在保证芯片面积不变的前提下提高芯片上的电流容量，但由于堆叠层间介质材料的热导率很低，成为了散热的瓶颈，而且功率MOSFET器件在给负载提供尽可能大的输出功率的同时自身也消耗了很大的电能，消耗的电能将转变为热量，如果这些热量不能及时、有效地散发出去，器件有源区温度将急剧上升甚至超过最高结温。根据Arrhenius法则，元器件的管芯温度每升高10 ℃，其失效率将增大1倍左右[3]。因此为了降低散热路径的热阻，在芯片中嵌入一定数量的硅通孔作为散热通道，可有效解决器件发热造成的可靠性问题。本文针对三维集成功率MOSFE