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材料学基础Fundamental of Materialogy 第一章 工程材料中的原子排列 材料的性能取决于材料的成分、加工工艺和结构。 材料结构学是材料科学体系中最重要的学科之一。 第一节 结合键(Binding Bond) 预备知识:原子结构以及元素周期表 定义:原子(离子或分子)之间的相互作用力 二、结合键 离子键 三、材料的键性 金属材料 金属材料的结合键主要是金属键。 金属特性：导电性、导热性好；正电阻温度系数；好的延展 性；金属光泽等。 陶瓷村料 陶瓷材料是包含金属和非金属元素的化合物，其结合键主要是离子键和共价键，大多数是离子键。离子键赋予陶瓷材料相当高的稳定性，所以陶瓷材料通常具有极高的熔点和硬度，但同时陶瓷材料的脆性也很大。 高分子材料 高分子材料的结合键是共价键、氢键和分子键。其中，组成分子的结合键是共价键，而分子间的结合键是范德华键和氢键。尽管范德华键较弱，但由于高分子材料的分子很大，所以分子间的作用力也相应较大，这使得高分子材料具有很好的力学性能 Chap. 2 Crystal structures 1. Lattice, unit cell, basis, and Crystal structures 晶胞：晶体结构基本单元 晶体常数（点阵常数）: （a,b,c)——size （α,β,γ)——shape 3. 7类晶系(syngonies)、14种Bravais点阵 4. Miller index 2）晶向指数 以SC、FCC为例，说明晶胞和原胞的异同。 分别给出立方和四方晶系的{101}晶面族中所包含的等价晶面。 第三节 金属及合金的结构特点Structure Characteristic of Metal Alloy 一、常见纯金属的晶格类型 体心立方晶格：记为BCC 面心立方晶格：记为FCC 属于这种晶格类型的金属有γ－Fe、Cu 、Al 、Ag、Au、Pb、Ni等。 密排六方晶格：记为HCP 密排六方晶格的晶胞是一个六方柱体，由六个呈长方体的侧面和两个呈六边形的底面所组成，如图所示。属于这种晶格类型的金属有Mg、Zn、Be、Cd等。 晶胞中的间隙 由致密度计算结果可知，晶体中应存在一定数量的间隙。例如，对于体心立方，致密度k＝0.68，说明仅有68％的体积被原子占有，存在32％的间隙。这些间隙对金属的性能，合金的相结构，扩散以及相变等都有重要的影响。从几何形状上看，晶格中有两种间隙：八面体间隙和四面体间隙。 面心立方晶格中也有八面体间隙与四面体间隙两种，如图所示，它们分别是正八面体间隙和正四面体间隙 原子的堆垛方式 前面已指出，面心立方晶格和密排六方晶格的致密度与配位数完全一致，均属于最密排列晶格，但是晶格类型却不同，为了搞清这个问题，就需要了解原子的堆垛方式。 1.1负离子配位多面体规则 在离子晶体中，离子的配位数由两种异号离子的半径比决定，而配位数大小直接影响晶体结构。 半径比 配位数 间隙形状 示意图 0.115 2 线性 0.115~0.225 3 三角形 0.225~0.414 4 四面体 0.414~0.732 6 八面体 0.732~1.000 8 立方体 第四节、晶体缺陷 Crystal defects ② 1d——线缺陷 (位错 dislocation) ③ 2d——面位错：界面/晶界 3）热缺陷  (本征缺陷 intrinsic point defects) ① 空位： VM —— M原子的空位 ② 间隙： Mi —— M 间隙原子 ③ 错位原子：MX，XM ④ 缔合中心: (VMVX) ⑤ 杂质缺陷: LM —— L杂质原子在M位上 ⑥ 带电缺陷: 电子缺陷：自由电子 e , 电子空穴 h 原子缺陷： V’M 移走M原子，留下它的电子 （相当于移走一个M+） V’M VM + e Kroger-Vink 记号 5）缺陷反应 缺陷产生 复合 化学反应A B + C Homework 3 1、FeO（NaCl型结构）具有O2-的FCC结构而Fe2+位于所有 的八面体空隙中，已知rFe