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耗尽型绝缘栅场效应管的特性曲线 2、分压式偏置电路 输入电阻： 当源极的上部分电阻未被旁路时 源极输出器 基本放大电路 § 16-11. 场效应管及其放大电路 普通晶体管是电流控制元件，通过控制基极电流达到控制集电极电流的目的。由于信号源必须提供一定的电流才能工作，因此它的输入电阻较低，仅有102—104?。 场效应管则是电压控制元件，它的输出电流取决于端电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻很高，可高达109 — 1014?。 场效应管 结型场效应管 绝缘栅场效应管 G D S N+ N+ P 一、 绝缘栅场效应管 绝缘栅场效应管的分类 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 源极：S 漏极：D 栅极：G 1、增强型绝缘栅场效应管 G D S 反型层 G D S N+ N+ P UGS N沟道增强型绝缘栅场效应管 导电沟道的形成 耗尽层 G D S N+ N+ P EG N沟道增强型绝缘栅场效应管的导通 ED ID 开启电压UGS（th） 在一定的漏—源电压UDS下，使场效应管由不导通变为导通的临界栅—源电压，称为开启电压。 无沟道 有沟道 UDS=常数 UGS(V) ID (mA) 0 转移特性曲线 漏极特性曲线 N沟道增强型场效应管的特性曲线 UGS=1V 2V 3V 4V ID (mA) UDS(V) 0 （输入电压对输出电流的控制特性） G D S N P+ P+ G D S P沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及表示符号： 2、耗尽型绝缘栅场效应管 G D S N+ N+ P N沟道耗尽型绝缘栅管的结构 G D S 对应的符号 增强型绝缘栅场效应管在加电压后才能生成沟道，而耗尽型场效应管是有原始沟道存在的。 若在场效应管加上栅源电压UGS，则原始沟道的大小将受该电压的控制，即漏源之间的导电能力受栅源电压UGS控制。 转移特性曲线 UGS(V) UDS=常数 ID (mA) 0 IDSS -1 -2 -3 1 2 4 8 12 漏极特性曲线 ID (mA) UDS(V) 0 1 -2 -1 UGS=0V 转移特性方程： 场效应管的主要参数： 开启电压：UGS(th) 夹断电压：UGS(off) 短路漏源电流：IDSS 共源小信号低频跨导：gm gm = 漏源击穿电压：UDS(BR) 栅源击穿电压：UGS(BR) 使用绝缘栅场效应管时，要注意选择适当的参数，不要超极限使用。 特别要注意：在保存及安装时，应使三个电极保持短路；焊接烙铁须接地良好。 栅极 源极 漏极 基极 发射极 集电极 对应极 简单、成本低 较复杂 制造工艺 好 差 热稳定性 很高 很高 输出电阻 rds=107-1014 ? rce=102-104 ? 输入电阻 gm=1-5mA/V 20-100 放大参数 N沟道和P沟道 NPN型和PNP型 类型 电压控制 电流控制 控制方式 只有一种载流子参与导电故称为单极型晶体管 两种载流子同时参与导电故称为双极型晶体管 载流子 场效应管 双极型晶体管 场效应管和双极型晶体管的比较 二、场效应管放大电路 1、自给偏压 偏置电路 静态值： RS：源极电阻； CS：源极旁路电容； RG：栅极电阻； RD：漏极电阻； C1、C1 ：耦合电容； ui CS C1 RD + RS RG +UDD C2 + u0 ui CS C1 RD RG1 + RS RG2 +Ucc C3 + RG 求：静态值、电压放大倍数 载电阻RL=10k?。所用场效应管为N沟道耗尽型，IDSS =0.9mA，UGS(off)=–4V，gm=1.5mA/V。 例 已知UDD =20V，RG=10k?，RS=10k?，RG1= 200k?，RG2=51k?，RG=1M? ，输出端接有负 解 由直流偏置电路， 及 ui CS C1 RD RG1 + RS RG2 +Ucc C3 + RG 接有负载电阻RL=10k?。所用场效应管为N沟道耗尽型，IDSS=0.9mA，UGS(off)= – 4V，gm=1.5mA/V。 例 已知UDD =20V，RG=10k?，RS=10k?，RG1=200k?，RG2=51k?，RG=1M? ，输出端 解之得 2、分压式偏置电路 ui RG u0 RG2 RG1 RD 交流通路 输出电阻： 输出电压： 场效应管等效电路： 电压放大倍数： ui RS’ RG u0 RG2 RG1 RL’ G S 故电压放大倍数： * * 基本放大电路