2-1-淡江大学机械与机电工程学系.doc

PAGE 淡江大學機械與機電工程學系 專題研究報告 指導教授：楊 龍 杰 博 士 聚對二甲苯與聚二甲基矽氧烷的表面電漿改質 Plasma Surface Modification of Parylene and PDMS 專題生：朱哲謙 撰 中華民國97年9月 第一章 緒論 1-1研究動機 　　高分子材料是指分子間的 HYPERLINK /w/index.php?title=%E7%B5%90%E6%A7%8B%E5%96%AE%E4%BD%8Daction=editredlink=1 \o 結構單位 結構單位或單體經由 HYPERLINK /wiki/%E5%85%B1%E4%BB%B7%E9%94%AE \o 共价键 共價鍵連接在一起，具有非常大分子量的化合物，在生活中接觸的很多天然材料通常是高分子材料所組成的，如天然橡膠、棉花、塑料和橡膠等，其中塑料被時代雜誌認為是二十世紀人類最重要的發明。高分子材料對人類的生活方式也產生了很重要的影響，故近年來，各界開始關注「如何整合高分子材料於製程及其相關之應用」。微機電系統（Micro Electro-Mechanical Systems；MEMS）亦不例外，例如於2001年，運用SF6電漿改質棉花表面之對水特性。未改質之棉花表面對水之接觸角為30°；於SF6電漿改質表面後，棉花對水接觸角上升至145° [1]。 在高分子材質中，以聚對二甲苯（parylene）與聚二甲基矽氧烷（polydimethylsiloxane；PDMS）受到最大之關注。聚對二甲苯利用類似化學氣相沉積（chemical vapor desposition；CVD），其沉積之薄膜具有低殘留應力、高平坦度與高滲透性之性質，因此被廣泛應用於印刷電路板之電性隔絕、感測器或醫療儀器的防潮保護等；聚二甲基矽氧烷則具有良好的熱穩定性、抗氧化與極低表面能之性質，被廣泛應用於醫療應用、微過濾系統等。 本研究運用淡江大學機電系微機電實驗室既有之設備與製程技術，嘗試使用不同的氣體電漿增添聚對二甲苯與聚二甲基矽氧烷之表面性質，期盼能讓聚對二甲苯與聚二甲基矽氧烷之應用能更加廣泛。 1-2文獻回顧 一般製作親、疏水性表面的方法大約分為三種類型，分別為塗佈表面能高或低之原料、利用微奈米級的表面粗糙結構與利用反應離子蝕刻機（Reactive Ion Etching；RIE）對物質表面進行電漿轟擊。針對三種類型說明如下。 第一種類型則是在物質表面塗佈表面能高或低之原料，利用表面張力的不同來改變物質表面之對水性質。例如於2006年，X. Song團隊利用化學氣相沉積之方式，將矽烷類物質沉積於物質表面，並探討其表面對水性質的變化[2]。 第二種類型則是以微、奈米級的表面粗糙結構造成元件表面對水性質的變化。最為著名的便是於1997年，W. Barthlott所創造的蓮花效應一詞，蓮花效應是指蓮葉表面具有超疏水及自潔之特性。Barthlott利用電子顯微鏡發現蓮葉表面具有約5~15 μm的突起狀表皮細胞，其表皮細胞上又覆蓋著一層蠟質結晶。蠟質結晶本身之化學性質具有疏水性，當水與這類表面接觸時，因表面張力而形成水珠，再加上蓮葉表面的無數細微結構，使得水與葉面的接觸面積變小，對水之接觸角因此更大 [3]。 第三種類型則是將欲改質之物質，利用反應離子蝕刻機對物質表面進行電漿轟擊，進而改變其表面的親、疏水性質。例如於2000年，B. H. Jo團隊利用氧氣電漿短暫轟擊聚二甲基矽氧烷，得到暫時親水性的表面 [4]。於2003年，G. Poletti 團隊分別以五種不同氣體（Ar、He、Air、CF4與SF6）電漿改質PET表面，並運用原子力顯微鏡（Armed Forces Museum；AFM）探討各種氣體對PET表面破壞程度之差異。其研究結果發現，於短時間的電漿轟擊下，此五種氣體所造成之表面破壞程度皆最小[5]。 考量實驗室既有之設備與技術後，本研究決定採用第三種類型的電漿表面改質法。嘗試B. H. Jo團隊未用過之氣體（CF4與SF6），搭配G. Poletti 團隊未嘗試過的高分子材料（聚對二甲苯與聚二甲基矽氧烷），利用反應離子蝕刻機對物質表面進行電漿轟擊。實驗流程為使用O2、CF4與SF6氣體電漿改質聚對二甲苯與聚二甲基矽氧烷，並觀察其改質後表面之對水性質之變化及其應用。 1.3研究架構 本研究將於第二章開始介紹研究之設計方向與製程，並逐一完整說明與討論。 第二章將應用三種不同氣體（O2、CF4與SF6）電漿改質聚對二甲苯表面，探討改質過後對水的性質與時效性，且探討在不同瓦數下對水性質之變化。 第三章將應用三種不同氣體（O2、CF4與SF6）電漿改質聚二甲基矽氧烷表面，探討改質過後對水的性質與時效性，且探討在不同瓦數下對水性質之變化。 第四