变频器功率器件选型与损耗计算探讨.ppt

Results Results Results 逆变器损耗计算 IGBT的导通损耗 IGBT的损耗主要由导通损耗与开关损耗组成。 IGBT的导通损耗与导通压降、电流以及占空比有关。 IGBT的开关损耗 IGBT的开关损耗由开通损耗和关断损耗组成。 开关损耗与直流电压以及门极驱动电阻有关。 IGBT的结温与损耗 IGBT的导通压降与开关损耗皆受其结温影响，并且在大部分的应用范围内都具有正温度系数的特性。 IGBT的结温与损耗 正温度系数使得IGBT易于并联应用，但同时也令其自身构成一种正反馈特性。 二极管的损耗 二极管的损耗计算方法与IGBT类似。 二极管的开通损耗比关断损耗小很多，因此，主要关注二极管关断引起的反向恢复损耗。 二极管的损耗 二极管的反向恢复损耗与直流电压以及门极开通电阻有关。 进行制动时，逆变桥实际成为整流桥，再加上母线电压升高，此时二极管的损耗急剧上升。 直流母线电容损耗计算 直流母线电容的损耗 直流母线电容的损耗分为两部分，一部分由ESR引起，另一部分由漏电流引起。由于漏电流通常很小，所以主要考虑ESR引起的损耗。 直流电抗器损耗计算 直流电抗器的损耗 直流电抗器的损耗分布较为复杂，在进行损耗预估时，可以先只考虑铜耗和铁耗两部分。 直流电抗器的损耗 铁耗与磁心