数字电子技术与技能训练任富民第7章课件教学.pptVIP

* * 7.5.2石英晶体振荡器由RC元件和门电路组成的多谐振荡器的频率稳定度还不高，一致性还不够好，主要原因是RC元件的参数以及门电路阈值电压UT易受温度、电源电压等因素的影响。在要求频率稳定度高、一致性好的场合经常采用石英晶体振荡器。石英晶体的物理和化学性质十分稳定、Q值很高，可达104～106，晶体参数的一致性也相 当好，因此用石英晶体和门电路组成的多谐振荡器的频率稳定性显著提高。图７-3５是石英晶体的实物和原理图符号，石英晶体简称晶振。石英晶体的参数主要为谐振频率，如时钟电路中经常用到的32768Hz。 图７-36所示为石英晶体和门电路组成的多谐振荡器，其振荡频率取决于石英晶体的谐振频率。图７-36a所示电路由一级反相器组成，在单片机和计算机中使用较多，RF为直流负反馈电阻，为使反相器工作于线性放大区，RF不宜过大或过小：过小使反相器损耗过大，过小使反相器脱离线性放大区，不易起振，一般RF取1～10MΩ。一般在单片机和其他具有自振荡功能的芯片中，反相器和RF均已集成到集成块内部，对外引出两个引脚，只需接上石英晶体和电容即可。C1和C2起进一步稳定振荡频率的作用，一般取10～100pF。 由两级反相器构成的石英晶体振荡器如图７-36b所示，实际上就是将对称振荡器的电容C1用晶体Y1代替即可。晶振的作用是选频，因此振荡器的振荡频率就是石英晶体的谐振频率。 .5.3施密特触发器组成多谐振荡器由于施密特触发器有两个阈值电压，它可以很方便地构成多谐振荡器，如图７-37a所示。接通电源瞬间，由于UＣ为0，低于负向阈值电压UT-，施密特触发器输出端Uo为高电平，此高 平通过电阻R向电容C充电，UＣ逐渐上升。当UＣ上升到大于正向阈值电压UT＋时，施密特触发器翻转，输出端Uo变为低电平，形成图７-3７b的tＷ1；由于Uo为低电平，电容通过电阻R放电，UＣ逐渐下降，当降到低于负向阈值电压UT-时，施密特触发器再次翻转，Uo又变为高电平，形成图７-3７b的tＷ2；如此周而复始，在Uo端输出矩形波。 7.5.4555构成多谐振荡器555构成多谐振荡器的电路如图７-3８a所示。刚接通电源时，由于TH和TR都为0，根据555的逻辑功能，当两个均小时，Uo＝1，即Uo初态为高电平，放电管VT截止，相当于DIS端断开，电源VCC通过电阻R1和R2给电容C2充电，电容C2上的电压UＣ2上升，上升到大于23VCC时，555输出状态翻转，输出端Uo变为低电平，形成图７-3８b的tＷ1；同时VT导通，DIS端相当于和地接通，电容上原所充电压UＣ2通过电阻R2放电，UＣ2逐渐下降，当降到低于13VCC时 时，555输出状态再次翻转，Uo又变为高电平，形成图７-3８b的tＷ2；如此周而复始，在Uo端输出矩形波。 馋死 PPT研究院 POWERPOINT ACADEMY 7.3.2由门电路构成施密特触发器图７-18所示是由CMOS反相器构成的施密特触发器。它之所以具有施密特触发器的回差特性，是由于输入信号Ui并没有直接输入到非门U1A的输入端，而是经过电阻R1和R2分压后 变换后可得 1.Ui由低电平上升为高电平Ui由低电平上升为高电平，经过两级非门后，Uo也为低电平，近似为0。因此根据分压公式可得 当Ui上升到U′i＝UT时，非门将翻转，此时的Ui就是UT＋，可得 2.Ui由高电平下降为低电平 Ui由高电平下降为低电平，经过两级非门后，Uo也为高电平，近似为VDD，因此根据分压公式可得 变换后可得 当Ui下降到U′i＝UT时，非门将翻转，此时的Ui就是UT-。对于CMOS电路而言，UT＝VDD/2，代入可得 总结分析：图７-18所示实际为一个正反馈电路，R2越小，正反馈越强。一般电路应满足以下条件：R1＜R2，否则，电路将进入自锁状态，不能正常工作。R2越小，回差电压越大，回差特性越明显。 7.3.3集成施密特触发器1.TTL集成施密特触发器1)74LS24、74LS32为四路二输入施密特与非门，引脚与74LS00兼容。2)74LS13、74LS18为二路四输入施密特与非门，引脚与74LS20兼容。3)74LS14、74LS19为六路施密特反相器，引脚与74LS04兼容。 3)74LS14、74LS19为六路施密特反相器，引脚与74LS04兼容。2.CMOS集成施密特触发器图７-19MC140106的内部结构和引脚排列图1)MC14093为四路二输入施密特与非门，引脚与74LS00兼容。2)MC140106为6路施密特反相器，引脚与74LS04兼容，如图７-19所示。当电压VDD=5V时，其阈值参数如下：UT+最大值为3.6V，最小值为2.2V；UT-最大值为1.6V，最小值为0.3V。 7.3.4施密特触发器的应用施密特触发器