数字电子技术－范立南第7章半导体存储器课件教学.pptVIP

数字电子技术第7章 半导体存储器 范立南 代红艳 恩莉 刘明丹 中国水利水电出版社 第7章 半导体存储器 7.1 半导体存储器的分类 7.2 存储器的组成 7.3 存储器的主要技术指标 7.4 只读存储器（ROM） 7.5 随机存储器（RAM） 7.6 存储器的扩展 7.1 半导体存储器的分类 半导体存储器的种类很多，但一般按使用功能分两大类： 只读存储器:Read-only Memory，简称ROM 随机存储器:Random Access Memory，简称RAM ROM可分为以下几种： 固定（掩模）ROM PROM：可编程ROM(Programable ROM) EPROM：可擦除可编程ROM(Erasable PROM) EEPROM／E2PROM：电可擦除可编程ROM(Eclectically Erasable PROM) 闪存FM：Flash Memory RAM分为 静态RAM：Static RAM 简称SRAM 动态RAM：Dynamic RAM简称DRAM 7.2 存储器的组成 半导体存储器一般由存储矩阵、地址选择电路、输入/输出电路和控制电路构成 7.3 存储器的主要技术指标 存储容量 存储器（或存储器芯片）存放二进制信息的总位数，即存储容量=存储单元数×每个单元的位数（或数据线位数） 存取时间 从CPU给出有效的存储器地址启动一次存储器读/写操作，到该操作完成所经历的时间 存取周期 连续启动两次独立的存储器读/写操作所需的最小间隔时间 7.4 只读存储器（ROM） ROM的结构框图 固定只读存储器（掩膜ROM） 可编程只读存储器（PROM） 可擦除可编程只读存储器（EPROM） EPROM的例子 -2764 电擦除可编程只读存储器EEPROM(E2PROM) 静态随机存取存储器(SRAM) SRAM的例子 6264(或6164) 7.5.2 动态随机存取存储器(DRAM) DRAM的例子- 2164A 7.6 存储器的扩展 当用一片ROM/RAM芯片不能满足存储容量的需要时，可以将若干片ROM/RAM组合到一起，接成一个存储容量更大的ROM/RAM，称为存储器的扩展 7.6.1 存储芯片配置的数量 采用多片ROM/RAM经扩展后组成容量更大的ROM/RAM存储以满足系统的需要。 芯片数量的选择由系统要求的容量（M×N）和单片容量（m×n）来决定 已知系统要求的内存容量为M（字数）N（字长或位数），现有单片ROM/RAM的容量为m（字数）n（字长或位数）。所需单片ROM/RAM的数量计算原则如下。 计算原则：M≧m，N ≧ n 根据字数计算所需单片数：M/m （取整数） 根据字长或位数计算所需单片数：N/n （取整数） 总片数：S=(M/m )×(N/n ) 7.6.2 扩展方式 1．位扩展方式 若单片ROM/RAM的字数满足系统内存总的字数要求，而每个字的字长或位数不够用时，则采用位扩展方式 位扩展后的存储器字数没改变而位数增加，存储器容量相应增加 【例7-1】用1K1位的RAM扩展成1K×8位的存储器。 用8片1K×1位芯片经位扩展后组成的1K×8位存储器 2．字扩展方式 若每一片ROM/RAM的数据位数够，而字数不能满足系统内存总的字数要求，则采用字扩展方式 字扩展后的存储器数据位数或字长没有变，而字数增加，存储器容量相应增加 【例7-2】用256×8位RAM扩展成1024×8位RAM 用4片256×8位RAM经字扩展后组成的1K×8位存储器 3．字位扩展方式 当单片ROM/RAM的字数和位数都不够时，就要采用字位扩展方式 【例7-3】用1K×4位RAM扩展成一个4K×8位存储器 用8片1K×4位RAM芯片，经字位扩展构成的存储器 SRAM的基本结构 (2) SRAM的静态存储单元。 SRAM存储单元 (a) 六管NMOS存储单元； (b) 六管CMOS存储单元 动态MOS存储单元 (a) 四管动态MOS存储单元； (b) 单管动态MOS存储单元 在线教务辅导网： 更多课程配套课件资源请访问在线教务辅导网 * 第7章 半导体存储器 N字M位ROM结构 二极管ROM结构图 上图 ROM的数据表 ROM在组合逻辑设计中的应用 例如，在上表中，将输入地址A1A0视为输入变量，而将D3、D2、D1、D0视为一组输出逻辑变量，则D3、D2、D1、 D0就是A1、A0的一组逻辑函数。 ROM的与或阵列图 (a) 框图； (b) 符号矩阵 用ROM实现逻辑函数