7.存储器、复杂可编程器件和现场可编程门阵列.ppt

学 练 做 答 测 数字电子技术基础 课堂练习 课后作业 习题解答 自我测验 基本要求 数字电子技术基础 学 练 做 答 测 数字电子技术基础 数字电子技术基础 学 练 做 答 测 数字电子技术基础 数字电子技术基础 7.存储器、复杂可编程逻辑器 7.1 只读存储器 7.2 随机存取存储器 7.3 复杂可编程逻辑器件 *7.4 现场可编程门阵列 *7.5 用EDA技术和可编程器件的设计例题 教学基本要求 1.掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址、等基本概念。 存储器 RAM (Random-Access Memory) ROM (Read-Only Memory) RAM(随机存取存储器): 在运行状态可以随时进行读或写操作。 存储的数据必须有电源供应才能保存, 一旦掉电, 数据全部丢失。 ROM(只读存储器)：在正常工作状态只能读出信息。断电后信息不会丢失，常用于存放固定信息（如程序、常数等）。 固定ROM 可编程ROM PROM EPROM E2PROM SRAM (Static RAM):静态RAM DRAM (Dynamic RAM):动态RAM 7. 存储器 几个基本概念： 存储容量(M)：存储二值信息的总量。 字数：字的总量。 字长（位数）：表示一个信息的多位二进制码称为一个字,字的位数称为字长。 存储容量（M)＝字数×位数 地址：每个字的编号。 字数=2n （n为存储器外部地址线的线数） 7. 存储器 7.1.1 ROM的定义与基本结构 存储矩阵 地址译码器 地址输入 数据输出 控制信号输入 输出控制电路 地址译码器 存储矩阵 输出控制电路 7.1.1 ROM的定义与基本结构 1）ROM（二极管PROM）结构示意图 存储 矩阵 位线 字线 输出控制电路 地址译码器 7.1.1 ROM的定义与基本结构 1）ROM（二极管PROM）结构示意图 0 0 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 0 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 当OE=0时 该存储器的容量=? 有二极管存1，无二极管存0。 7.1.2 两维译码 字线 存储 矩阵 位线 该存储器的容量=? 有MOS管存0，无MOS管存1。 例：指出下列存储系统各具有多少个存储单元，至少需要几根地址线和数据线。 (1) 64K×1 (2) 256K×4 (3) 1M×1 (4) 128K×8 * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 学 练 做 答 测 数字电子技术基础 课堂练习 课后作业 习题解答 自我测验 基本要求 数字电子技术基础 学 练 做 答 测 数字电子技术基础 数字电子技术基础 学 练 做 答 测 数字电子技术基础 数字电子技术基础 * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。 * 图中看出，谐波次数越高，幅值分量越小，对原波形的贡献越小，所以在一定条件下可忽略高次谐波。