NMCL版电力电子技术实验一之MOSFET特性及驱动电路.pptVIP

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  • 2017-03-05 发布于湖北
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NMCL版电力电子技术实验一之MOSFET特性及驱动电路.ppt

NMCL版电力电子技术实验一之MOSFET特性及驱动电路

一.实验目的 熟悉MOSFET主要参数的测量方法。 熟悉PWM信号主要参数的测量方法。 掌握一个典型电力电子驱动电路的工作原理。 研究MOSFET阻性、阻感性负载的开关特性。 二.实验内容 MOSFET开启阀值电压VGS、转移特性曲线及跨导gFS测试。 PWM信号幅度、周期、占空比测试。 驱动电路输入、输出延时时间测试。 阻性、阻感性负载的MOSFET开关特性测试。 三.实验电路 四.实验设备 五.实验步骤 依次打开实验台左下方的自动开关。 主控制屏左上方的低压直流开关。 此时设备应有正常的控制电压LED指示。 §1. MOSFET开启阀值电压测试 1.1 NMCL-07挂件主回路单元电源V+开关S1打向“通” 。 NMCL-31单元上部给定G单元开关S1打向“正给定”正给定输出。开关S2解除接地,打向“给定” 。 数字万用表测量选择开关置于DC—mA(2-20 mA)档,红表笔位于mA电流测量输入端。 示波器直流输入方式,(1-5)V/div量程,探头衰减开关位于10X处。 1.2 NMCL-07挂件主回路单元的“1”端与MOS管的漏极“D”端之间串入万用表(漏极电流ID测量)。 NMCL-31单元给定G部分输出“Ug”及地端分别与MOS管的“G”、“S”端相连 。 示波器的测量输入接至MOS管的“G”、“S”端(栅源极

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