模拟电子技术吴荣海第1章半导体二极管三极管1课件教学.pptVIP

第一章 半导体二极管和晶体管 1.1 半导体的基本知识 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 实训：二极管的识别与检测 1.5 晶体管 1、共射输入特性曲线 1.5.3 晶体管的特性曲线 某硅NPN管的共射输入特性曲线： 1）曲线是非线性的，也存在一段死区，当外加uBE小于死区电压时，截止。 2）随着uCE的增大，曲线逐渐右移，而当uCE≥1V以后，各条输入特性曲线密集在一起，几乎重合。因此只要画出uCE=1V的输入特性曲线就可代表uCE≥1V后的各条输入特性。 3）三极管导通时，小功率管iB一般为几十到几百微安，相应的uBE变化不大，一般硅管的， 锗管的 2、共射输出特性曲线  当iB取值不同时，就有一条不同的输出特性曲线，如右图所示。 输出特性四个区域的特点: 1）截止区 通常把iB=0的输出特性曲线以下的区域称为截止区。e、b、c之间近似看成开路。 2）放大区 输出特性曲线中的平坦部分（近似水平的直线）称为放大区。此时iC ≈ βiB。 输出特性四个区域的特点: 3）饱和区 输出特性曲线中，uCE≤uBE的区域，即曲线的上升段组成的区域称为饱和区。三极管各极之间近似看成短路。饱和时的uCE称为饱和压降，用UCE(sat)表示。 4）击穿区 击穿区位于图右上方，其中iB=0时的击穿电压U(BR)CEO称为基极开路时集-射极间击穿电压。 1.5.4 晶体管的主要参数 2. 极间反向电流 （1）集电极-基极反向饱和电流ICBO 发射极开路时集电结的反向饱和电流。其值很小，ICBO越小越好。 （2）穿透电流ICEO 基极开路时集电极和发射极间加上规定电压时的电流。由于ICEO=（1+β）ICBO，所以ICEO比ICBO大得多。 1.5.5 实训：三极管的识别与检测 1. 实训目的 1）识别三极管的型号和极性。 2）掌握用万用表检测三极管。 2. 实训设备 1）万用表 1台 2）三极管 若干 3. 实训原理 1）外形特征 2）万用表的简易测试方法 （1）判断基极和管型 （2）判断集电极和发射极 （3）材料判断 （4）质量判断 （5）测量β值 ＰＮ结的电容效应 PN结外加电压变化时，其耗尽层中离子的电荷量也发生变化（类似电容的充放电），这就是PN结的电容效应。该电容称为PN结的结电容，由于容量较小，一般在频率较高的场合才考虑结电容的影响。 1.2.1二极管的结构和类型 将PN结加上相应的电极引线和管壳，就成为半导体二极管。P区对应的称为阳极（或正极），N区对应的称为阴极（或负极）。 二极管的常见外形 阳极 阴极 结构 符号 类型 按材料分： 硅二极管和锗二极管 按结构分： 点接触型和面接触型 按用途分： 发光管、整流管、稳压管等 按功率分： 按封装分： 金属封装、塑料封装等 大功率管、小功率管 引线 外壳线 触丝线 基片 点接触型 PN结 面接触型 1.2.2 二极管的伏安特性 下图为硅二极管和锗二极管的伏安特性。其中实线部分为硅管特性。 1、 正向特性 当正偏电压很小时，正向电流很小，这时二极管实际上没有导通，呈现很大的电阻，这部分正向特性称为死区。只有当正向电压达到一定值（这个值称为死区电压）后，正向电流按指数规律增大，二极管处于导通状态。室温下，硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.1V。 二极管导通后曲线陡直，表明二极管导通时呈现电阻很小，电流变化范围很大，而其两端电压变化很小。二极管充分导通时的两端电压称为导通电压，硅管的导通电压约为0.6～0.7V，锗管的导通电压约为0.2～0.3V。 2、反向特性 反向电压在相当大的变化范围内，反向电流数值很小，管子处于反偏截止状态，呈现电阻很大，且当环境温度不变时，反向电流几乎不变，该电流称为二极管的反向饱和电流。通常小功率硅管的反向饱和电流约为10-3～10-10μA,而锗管的约为1～10-2μA。当温度升高时，反向饱和电流的数值增大。 3、反向击穿特性 当二极管的反向电压增大到一定值后，其反向电流会急剧增大，发生二极管的反向击穿现象，发生击穿时的电压称为反向击穿电压（用UBR表示）。只要采取限流措施，就能保证二极管的电击穿不会变成热击穿而损坏。 由于二极管内部实质上是PN结，所以它的特性对温度很敏感。当温度升高时，扩散运动加强，正向电流增大；此时本征激发