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單元十電晶體放大器與偏壓 壹 實習內容 一. 相關原理 電晶體有射極基極和集極三個接腳，當電晶體用做放大時，一端成為輸入端，另一端為輸出端，第三端則為輸入和輸出的共同端(Common)。三個接腳皆可做為共同端用，因此，電晶體電路便有三種基本組態，即共射極(Common Emitter，CE)共基極(Common Base，CB)，和共集極(Common Collecter，CC)電路。此三種組態各有不同的輸入和輸出特性，可由其組態的輸入和輸出特性曲線獲知，如輸入阻抗﹑輸出阻抗…等。如圖10-1所示為PNP電晶體之共基極組態，此種組態以基極為共同端，而射極為輸入端，集極為輸出端。IB為輸入電流，VEB為輸入電壓，IC為輸出電流，VCB為輸出電壓。一般而言，除了共基極組態外，基極均為輸入端( CB時之輸入端為射極 )，而除了共集極組態外，集極均為輸出端( CC時之輸出端為射極 )。 BJT電晶體之小訊號等效電路中雖有四個h參數，但因hre≒0與1/hoe=ro≒∞( 開路 )，故近似分析只取hie與hfe( 或rπ與β )；又因許多電晶體手冊只提供hfe參數，所以瞭解常見電晶體放大器( CE組態 )中各端點之負載與訊號源對E、B、C端點電氣特性之影響，對放大器之快速分析將大有助益。考慮BJT電晶體各端點負載與訊號之電路如圖10-2所示，其h參數(模型等效電路如圖10-3。 (一) 基極等效電路 在節點a處，應用克希荷夫電流定律( KCL )，可求出流過電阻器R2中的電流： 將克希荷夫電壓定律( KVL )應用到圖10-3的迴路上： 圖10-1 共基極組態電路 圖10-2 BJT電晶體電路 圖1010-3 BJT電晶體等效電路 則 ( 10-1 ) 等效電路如圖-4所示。 圖-4的基極等效電路，集極任何訊號( (3 )或負載電阻( R3 )都不會在電晶體的等效基極電路上反映出來。同時說明了射極那邊的電源(2的電阻R2對基極電流ib的影響：在射極上的任何電阻由基極電路看要增大(1+hfe)倍，此關係式稱為“電阻反射定理”。 一般情形下，1且(1+)≒。同時在經驗上可知(+1)R2≒R2，可將這一項忽略不計。所以對圖-5所示的電晶體組態而言：為R2，輸入阻抗Zi≒，結果得到 (二) 射極等效電路 將(10-1)式乘以(1+)就會得到下式： 即 射極等效電路如圖-6所示。射極等效電路也說明了在集極的電源( (S )和負載電阻( R3 )亦不會反映在射極電路中。而(1、R1會影響電流ie，但是R1依照 圖10-4 電晶體的基極近似等效電路 圖10-5 RE對於輸入阻抗的影響 “電阻反射定律”反映過來的電阻通常較小，因為需除以( 1+ )因數。就圖10-7的代表性電路而言，如果用(+1)≒這項近似關係並令RS=RS+hie的話，那麼 而在圖-7的電路中， (三) 集極等效電路 電流iC為hfeib，與週邊的電路沒有關連，集極電壓 也和外界電路無關，所以決定Ib之後就可以直接求出集極電流與電壓，所得集極電路被畫在圖-8中。 電晶體之交流小訊號等效電路有(1)混合π模型( Hybrid-π Model ) 與(2)T模型兩種，一般而言，共射極( CE )、共集極( CC )組態使用混合π模型，共基極組態( CB )使用T模型較易分析之進行。而中頻帶之分析步驟可概分為： (1) 求出電晶體放大器電路之直流偏壓點( DC Bias )。 (2) 計算小訊號等效電路所需之參數值( rπ，ro，gm…等 )。 (3) 繪出適當之ac小訊號等效電路： (a) 將直流電流源斷路、電壓源短路( 一般狀況下即接地 )。 10-6 電晶體的射極近似等效電路 圖10-7 電晶體的射極代表性電路 圖10-8 電晶體的集極近似等效電路 (b) 電晶體以等效電路取代( CE、CC：π模型，CB：T模型 )。 (c) 電路中之耦合與旁路電容以短路取代( 低頻分析時則不可忽略 )，電晶體內部電容以開路取代( 高頻分析時則不可忽略 )。 (4) 應用克希荷夫定律與歐姆定律分析等效電路以求出增益與輸出入阻抗等。 實習10-1：共射極放大器偏壓電路 一. 相關原理 偏壓之目的在建立穩定的工作點，亦即在BJT的C極上產生一個固定的直流電流，使其為(1)可計算的，(2)可預測的，(3)對溫度的變化不敏感，(4)同型式電晶體β值變化很大時亦不會漂移很多的。 電晶體之偏壓方式眾多，有單電源、雙電源、自我偏壓( Self-bias )與電流源偏壓等型式，圖-9是一種簡單的共射極組態固定偏壓電路，又稱為基極偏壓，圖中電晶體的順向與逆向偏壓都由同一個電源VCC所供給。 (一