二极管的主要参数.ppt.ppt

二极管的动态电阻rd的求解 * E4a012 半导体二极管 E4a0121 二极管 E4a01213 二极管的主要参数 1. 半导体二极管的参数 半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压UBR、最大反向工作电压URM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下： (1) 最大整流电流 IF ——二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。 (2) 反向击穿电压UBR和最大反向工作电压URM ——二极管加反向电压出现击穿时对应的反向电压，称为反向击穿电压。为了保证二极管安全工作，一般所加的反向电压只是反向击穿电压的二分之一，称为最大反向工作电压。 (3) 反向电流IR ——在室温下，在规定的反向电压下，一般是最大反向工作电压下的反向电流值。小功率硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；小功率锗二极管在微安(?A)级。 (4) 正向压降UF ——在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8V；锗二极管约0.2～0.3V。 (5) 动态电阻 rd ——反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数。显然， rd与工作电流的大小有关，即 rd =?UF /?IF Q Q 二极管的动态电阻属于交流参数，是二极管对它两端交流电压呈现出的电阻值。rd 可以用二极管伏安特性曲线斜率的倒数来表示，rd的大小和工作点Q有关。 图 01.02.05 二极管的动态电阻