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1.PN结是构成各种半导体器件的基础,其主要特性是( )。
A.具有放大特性
B.具有单向导电性
C.具有改变电压特性
D.具有增强内电场特性
B
2.用模拟式万用表测量小功率晶体二极管特性的好坏时,应使用的欧姆档是( )。
A.R*100Ω或R*1K
B.R*1Ω
C.R*10K
D.那个档都可以
A
3.稳压二极管构成的稳压电路,其接法是( )。
A.稳压二极管与负载电阻串联
B.稳压二极管与负载电阻并联,再与限流电阻串联
C.限流电阻与稳压二极管串联后,再与负载电阻并联
D.限流电阻与负载电阻串联后,再与稳压二极管并联
B
4.场效应管是( )器件。
A.电压控制电压
B.电流控制电压
C.电压控制电流
D.电流控制电流
C
5.如下图所示的电路符号代表( )管。
A.耗尽型PMOS
B.耗尽型NMOS
C.增强型PMOS
D.增强型NMOS
D
6.如图由集成运算放大器构成的运算电路,R1=2KΩ,R2= R1// Rf。当uI=2V时,uO=—4V,那么Rf应为( )。
A.1KΩ
B.2KΩ
C.3KΩ
D.4KΩ
D
7.集成运算放大器是输入端并接两个正反向二极管的作用是( )。
A.提高输入阻抗
B.过载保护
C.输入电压保护
D.电源电压保护
C
8.理想集成运算放大器的开环放大倍数为( )。
A.∞
B.—∞
C.0
D.1
A
9.同相比例运算电路的重要特点是( )。
A.虚断、虚地
B.虚断、虚短
C.虚短、虚地
D.虚断、虚短、虚地
B
10.如图集成运算放大器构成的运算电路,经测量发现uO=uI,这是因为( )。
A.R1断路
B.R2断路
C.Rf断路
D.R2两端短路
A
11.欲将一正弦波电压叠加在一个直流电压上,应选用( )。
A.反向比例运算电路
B.同向比例运算电路
C.加法运算电路
D.减法运算电路
C
12.如图集成运算放大器构成的运算电路,Rf=2KΩ,R1= R1// R2// Rf为使uO=-uI1- uI2时,那么R1及 R2各为( )KΩ。
A.1,2
B.2,1
C.2,4
D.4,2
A
13.( )运算电路可实现函数Y=ax1+bx2,b大于零、a小于零。
A.反相比例运算电路,x1 接反相输入端,x2接同相输入端
B.同相比例运算电路,x2 接反相输入端,x1接同相输入端
C.减法运算电路,x1 经电阻接反相输入端,x2经电阻接同相输入端
D.减法运算电路,x2 经电阻接反相输入端,x1经电阻接同相输入端
C
14.将交流电变换为脉动直流电的电路称为( )。
A.整流电路
B.稳压电路
C.滤波电路
D.放大电路
C
15.工作速度快、适合于高频整流电路的二极管是( )。
A.齐纳二极管
B.肖特基二极管
C.变容二极管
D.发光二极管
B
16.在P型半导体中多数载流子是( )。
A.电子
B.离子
C.空穴
D.杂质
C
17.欲将方波电压转换成尖脉冲电压,应选用( )运算电路。
A.比例
B.加减
C.微分
D.积分
C
18.场效应管是以( )控制漏极电流ID。
A.UDG
B.UDS
C.UGS
D.IGS
C
19.结型场效应管利用栅源极间所加的( )来改变导电沟道电阻。
A.反偏电压
B.反向电流
C.正偏电压
D.正向电流
A
20.电路如图所示,已知CF=lμF,uo=一 V ,则R1=( )。
A.0.5MΩ
B.1MΩ
C.2MΩ
D.0.2MΩ
B
21.电路如图所示的运算电路,已知C=1μF,为要获得U0=-2 V,则RF应为( )。
A.0.5MΩ
B.1MΩ
C.2MΩ
D.0.2MΩ
C
22.微分电路是以( )为输出端。
A.电容
B.电阻
C.电感
D.感抗
B
23.单相桥式整流电路的输入电压时则输出电压平均值为( )。
A.20V
B.10V
C.9V
D.
C
24.若要求输出电压U0=5V,则应选用的三端稳压器为( )。
A.W7805
B.W7905
C.W7912
D.W7812
A
25.开关稳压电源电路中,调整管工作在( )。
A.放大状态
B.饱和状态
C.截止状态
D.饱和或截止状态
D
26.在脉宽调制式串联型开关稳压电路中,为使输出电压增大,对调整管基极控制信号的要求是( )。
A.周期不变,占空比增大
B.频率增大,占空比不变
C.在一个周期内,高电平时间不变,周期增
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