aSiHTFT阈值电压漂移机理及其在驱动OLED显示中的补偿设计.pdf

LCD 2006 2004AA303560J 基金项目：国家863计划资助项目f a．SiH—TFT阈值电压漂移机理及其在驱动 OLED显示中的补偿设计 刘金娥1’2，廖燕平1．2，荆海”，张志伟1，付国柱1，邵喜斌1，3 1中国科学院长春光学精密机械与物理研究所北方液晶工程研究开发中心，吉林长春130033 2中国科学院研究生院，中国，北京100000 3吉林北方彩晶数码电子有限公司，吉林长春130033 摘要 分析了a—Si：H—TFT阙值电压漂移的机理，即分析了栅偏应力 下电荷注入到SiNx：H栅绝缘层和a—Si：H中亚稳态的产生对 特点即存在晶粒问界和大量的问界缺陷态密度，造成各个 TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点， TFT的阈值电压不一致，导致OLED发光亮度不均匀，造成 并针对驱动OLED的两管a—Si：H—TFT像素电路，提出了一 各像素灰度偏差，从而影响画面显示质量。通过设计四个TFT 种通过对数据信号时序的重新设计来补偿阈值电压漂移的方 的像素驱动电路来替代两个TFT的像素驱动电路能补偿这种 法，即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信 阈值电压的不一致性，但同时不可避免地要增加工艺的复杂 号。通过这种正负交替的信号，使驱动管TFT中由亚稳态造 成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程，来实现 子器件在液晶显示、矩阵图像传感器等方面已经得到广泛的 驱动OLED电流稳定的目的。 应用。用具有液晶显示产业化基础的a—si：H—TFT来驱动 关键词 的不稳定性就是在长时I日】栅偏应下阈值电压会发生漂移。正 因为a—Si：H—TFT的 a-Si：H—TFT；阈值电压漂移；电荷注入；亚稳态；补偿方法 迁移率低和阈值电压漂移的特点使其在能否用于驱动 1、引言 彩色样机的出现。但a-Si：H—TFT在长时间施 有机电致发光显示(OLED)器件作为新一代的显示器 加直流栅偏压下导致晶体管阈值电压漂移，结果造成 件，因其具有自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬 OLED的发光亮度下降，影响使用寿命，因此必须采取特殊 底上等独特特点【l_t】弓I起了人们广泛的兴趣。预计在今后几年 的设计来补偿或消除。文献【16】中列举和分析了多种OLED有 内，OLED将在手机、个人数字助理器(PDA)、数码相机、 源驱动电路的像素结构，它们通过在像素中应用多个TFT(3 车载显示和笔记本电脑上得到广泛应用，对目前以LCD为主 个以上)，来达到补偿阈值电压的漂移或不一致；05年的SID 流的几乎所有平板显示将构成严峻挑战。 会泌资料显示，Yeh—Jiun Tung等人[171成功的推出了两管a— OLED为电流驱动主动发光型器件，按驱动方式可分为