CMOS摄像器件及CMOS摄像机.pdf

—————————————————竺!兰±二笪!堕!堂堂堂查垒望垒壅叁 一——一． CMOS摄像器件及CMOS摄像机 雷玉堂罗辉雷琼 武汉乐通光电有限公司。乐通光电新技术研究所，430074 摘要本文介绍了新兴的摄像器f牛—cMOS的基本结构原理、与CCD摄像器件的比较、应用领域及当前的进展。 并预计，CMOS摄像器件将取代CCD而获得更为广泛地应用． 关键词CMOS摄像器件．CCD，场效应管，摄像机，有源。无源，信噪比，分辨率 1．前言 CMOS摄像器件(即图像传感器)是继CCD摄像器件以后新发展起来的一种新型固体光电成像器 件。这种器件在半导体市场萧条时期，仍然保持着很好的市场增长，而且有加快替代CCD器件的优势。 与CMOS都是硅器件，但CCD是通过光电效应收集电荷，其每行象素随时钟信号被送到模拟移位寄存 器上，然后串行转换为电压。 CCD技术虽然成熟、稳定，但产品成品率低、成本高，且很难把驱动电路、信号处理电路与CCD 成象阵列单片集成，因而系统由多芯片组成。而CMOS图像传感器则能较容易地做成单芯片系统，因 而可缩小产品尺寸，所以价格低，也可降低产品功耗。由于进行了高度集成，使设计简单，能缩短产品 上市时间，也更适合于便携应用。 当前，CCD与CMOS两者共存，CCD仍 表lCMOS摄像器件与CCD的比较 CCD CMOS 是“主流”。今后，CMOS将成为图像传感器 光信号一信号电荷 光信号一模拟信号电 中的主流。本文将对CMOS图像传感器魄基本 基本原理 电荷耦合、电荷传 压：模拟信号电压从 输、时钟自扫描输出 行列式电极输出 结构、原理、与CCD的比较、当前的进展及应 从晶体管开关阵列 电信号读出方式 逐行读取 用领域作一介绍。 中直接读取 二、三、四相 驱动 电源电压 时钟脉冲 2．CMOS摄像器件与CCD的比较 结构 较复杂 简单 制作工序 较特殊 标准 制造成本 高 低 CCD器件虽有极高的信噪比、很强的感光 生产成品率 低 高 灵敏度和良好的动态范围。但CCD生产过程复 灵敏度 高 较低 分辨率 高 较低 杂、产量低、成品率低，因此价格贵。为了克 暗电流 小 大 服CCD的不足，人们才研发和推出了新型的 信噪比(S／N) 高 较低 帧速 低 高 CMOS影像传感器。 随机存取 不能