第五章磁电式传感器概论.ppt

桥路补偿电路 （4）不等位电动势Uo的温度补偿 四、应用 1、霍尔式微位移传感器 上图是磁场强度相同的两块永久磁铁，同极性相对地放置， 霍尔元件处在两块磁铁的中间。由于磁铁中间的磁感应强度B=0， 因此霍尔元件输出的霍尔电势UH也等于零，此时位移Δx=0。若霍尔元件在两磁铁中产生相对位移，霍尔元件感受到的磁感应强度也随之改变，这时UH不为零，其量值大小反映出霍尔元件与磁铁之间相对位置的变化量。这种结构的传感器， 其动态范围可达5 mm，分辨率为0.001mm。 2、霍尔式转速传感器 转盘的输入轴与被测转轴相连，当被测转轴转动时，转盘随之转动，固定在转盘附近的霍尔传感器便可在每一个小磁铁通过时产生一个相应的脉冲，检测出单位时间的脉冲数，便可知被测转速。根据磁性转盘上小磁铁数目多少就可确定传感器测量转速的分辨率。  Academic Seminar * 第五章 磁电式传感器 定义：磁电式传感器是利用磁电作用将被测量转换成电信号的一种传感器。 磁电作用：所有的磁信号与电信号之间相互作用的现象。 第一节 磁电感应式传感器 一、磁电感应式传感器工作原理 根据电磁感应定律， 当导体在稳恒均匀磁场中，沿垂直磁场方向运动时，导体内产生的感应电势为 式中: B——稳恒均匀磁场的磁感应强度； l——导体有效长度； v—导体相对磁场的运动速度 N——线圈匝数； 当一个N匝线圈相对静止地处于随时间变化的磁场中时，设穿过线圈的磁通为φ，则线圈内的感应电势e与磁通变化率dφ/dt有如下关系： 根据以上原理，人们设计出两种磁电式传感器结构：变磁通式和恒磁通式。 （一）恒定磁通式 （二）变磁通式 变磁通式磁电传感器结构图 （a） 开磁路 （b） 闭磁路 图（a）为开磁路变磁通式：线圈、磁铁静止不动， 测量齿轮安装在被测旋转体上，随被测体一起转动。每转动一个齿，齿的凹凸引起磁路磁阻变化一次，磁通也就变化一次，线圈中产生感应电势，其变化频率等于被测转速与测量齿轮上齿数的乘积。这种传感器结构简单，但输出信号较小，且因高速轴上加装齿轮较危险而不宜测量高转速的场合。 图（b）为闭磁路变磁通式传感器，被测旋转体1带动椭圆形测量齿轮2在磁场气隙中等速转动，使气隙平均长度周期性地变化，因而磁路的磁阻也周期性的变化，磁通同样周期性的变化，则在线圈3中产生感应电动势，其频率f与测量齿轮2的转速n成正比，即f=n/30。 二、磁电感应式传感器的应用 动圈式振动速度传感器 1、芯轴 2、外壳 3、弹簧片 4、铝支架 5、永久磁铁 6、线圈 7、阻尼环 8、引线 上图是动圈式振动速度传感器的结构示意图。其结构主要特点是，钢制圆形外壳，里面用铝支架将圆柱形永久磁铁与外壳固定成一体，永久磁铁中间有一小孔，穿过小孔的芯轴两端架起线圈和阻尼环，芯轴两端通过圆形膜片支撑架空且与外壳相连。工作时，传感器与被测物体刚性连接，当物体振动时， 传感器外壳和永久磁铁随之振动，而架空的芯轴、线圈和阻尼环因惯性而不随之振动。因而，磁路空气隙中的线圈切割磁力线而产生正比于振动速度的感应电动势，线圈的输出通过引线输出到测量电路。该传感器测量的是振动速度参数，若在测量电路中接入积分电路，则输出电势与位移成正比；若在测量电路中接入微分电路，则其输出与加速度成正比。 第二节 霍尔式传感器 一、工作原理 霍尔效应： 金属或半导体处于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势的现象。 * 设霍耳片的长度为l，宽度为w，厚度为d。又设电子以均匀的速度v运动，则在垂直方向施加的磁感应强度B的作用下，它受到洛仑兹力 q—电子电量(1.62×10-19C)； v—电于运动速度。 同时，作用于电子的电场力 当达到动态平衡时 * 霍耳电势UH与 I、B的乘积成正比，而与d成反比。于是可改写成： 电流密度 j=－nqv n—N型半导体中的电子浓度 N型半导体 P型半导体 RH—霍耳系数，由载流材料物理性质决定。ρ—材料电阻率 p—P型半导体中的孔穴浓度 μ—载流子迁移率,μ=v/E,即单位电场强度作用下载流子的平均速度。 * 设 KH=RH / d KH—霍耳器件的乘积灵敏度。它与载流材料的物理性质和几何尺寸有关，表示在单位磁感应强度和单位控制电流时霍耳电势的大小。 若磁感应强度B的方向与霍耳器件的平面法线夹角为θ时，霍耳电势应为： UH＝ KH I B UH＝ KH I B cosθ 讨论：为什么只能用半导体材料作霍尔元件。