MIUC+polySi+TFT及其在SOPLCD中的应用.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 MIUC poly-SiTFT及其在SOP—LCD中的应用 吴春亚。2，孟志国1’2，马海英1，熊绍珍1，张丽珠3，王文2，郭海成2 1南开大学光电子所，天津，300071 2香港科技大学电气与电子工程系，清水湾，九龙，香港 3天津工程师范学院，天津，300222 摘要：基于金属诱导单向晶化(MIUC)技术，通过版图的选择设计和工艺流程的优化，结 合后热退火处理，制备出迁移率高于lOOcm2／V．s，开关比大于107，阈值电压的绝对值在3V 以内的P沟和N沟MIUC poly—Si，Ⅱ砸。在此基础上设计制备出用于周边集成的驱动电路。 对制备的多晶硅驱动电路单元进行评价性测试。它们的工作频率随施加的工作电压呈指数 式增加，最终趋于线性增长，在外加激励信号电压为lOv时，工作频率可以达到5MHz。 测试结果达到设计要求值。将这样的行、列驱动电路，一同集成作在像素矩阵电路的玻璃 on Panel—SOP’的AMLCD模块，具有良好的动态显示功能。 周边，研制出彩色“System 1． 引言 TFT)相当优异的电学性能u。，使得它们已经广泛用于 多晶硅薄膜晶体管(poly-Si 制备有源选址的液晶显示(AMLCD)和有源选址有机发光显示(AMOLED)。倘若现今通用的 外围行、列驱动电路也能集成于同一衬底之上，则可构成带周边集成驱动电路、甚至DAC on Panel(SOP)一一板上全集成显示系统”幢。31。SOP仅有少数的周边 以及CPU的“System 外引线，对那些要求显示密度高和可靠性好、需用小巧LCD和0LED屏作其显示屏的便携 产品，如手机、PDA以及PALM类的小型计算机，则可提供稳定、良好的显示接口。因此在 同一玻璃衬底上，把周边驱动电路和中心像素开关矩阵集成一体的研究越来越受到青睐H。。 金属诱导晶化(MIC)的多晶硅技术有能力使上述希望予以实现∞“1。只不过用MIC poly—Si做有源层的TFT常呈现出很大的漏电电流和易于击穿。一些新工艺，诸如金属诱 导单向晶化(MIUC)，双栅结构，栅调制的漏区低掺杂，激光或热后退火等后处理，纷纷 提出来用以解决MICpoly-SiTFTs的上述问题¨蚓。 而我们为了提高器件性能、解决漏电问题，采用的是MIUC与热退火相结合以及选择 设计器件的版图、改变工艺制程等办法。在此基础上，我们制备出性能良好的P沟和N沟 MIUC 7，阈值电压的绝对 poly-SiTFTs，它们的迁移率均高于100cm2／V．S，开关比大于10 poly-SiTFT行扫描与列数据驱动电路。本文将对此制备工艺、电路特性以及用之制备的 SOP—LCD予以介绍。 2． 制备流程 本文所报道的工作是我们前期在AMOLED、AMLCD研究工作。。刨基础上的发展。考虑到 需要将中心的像素开关电路与周边的驱动电路工艺相容，以及涉及后续的LCD与OLEO可 TFT显 能带来的后烘烤工艺，我们选取玻璃衬底上的5微米2M1P工艺研制MIUCpoly—Si Ni薄膜，置于5500C的N。氛围中退火，非晶硅将以49m／s的速度横向晶化。之后去除残余 Ni和牺牲层LT0，进行有源岛的形成、栅氧化层和栅电极的制作、源漏电极的注入、杂质 ．．499．． 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 活化和后热退火、两层AL引线的制备、 形成气体退火。 所有TFT的有源岛均是设计在Ni 含量低的单向晶化区域内，并在金属诱 导横向晶化之后腐蚀形成，这样可使单 位沟道宽度的漏电流(I，。。)降到 2-3p