第14章半导体器件导论.pptVIP

第14章 半导体器件 14.1 半导体的导电特性 14.2 PN结及其单向导电性 14.3 二极管 14.4 稳压二极管 14.5 双极型晶体管 14.6 光电器件 对于元器件，学习重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不过于追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况, 对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似,以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标, 就不要过分追究精确的数值。工程上允许一定的误差，可采用合理估算的方法。 14.1 半导体的导电特性 本征半导体 杂质半导体 半导体中的电流 物质按导电性能分类 导体（＞105） 绝缘体（ 10-22 ~10-14 ） 半导体，是指电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体室温时电阻率约在10-9~ 102欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。如硅、锗等，半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显着。? 14.1.1 本征半导体 完全纯净的、晶格完整的半导体，称为本征半导体。 制造半导体器件的半导体材料的浓度要达到99.9999999%，例如硅和锗。 四价元素：在原子最外层轨道上的四个价电子。 共价键：相邻原子共有电子对。 绝对零度（-273.15°C）时晶体中无自由电子。 本征半导体中的载流子 载流子：半导体结构中获得运动能量的带电粒子。有温度环境就有载流子。绝对零度时晶体中无自由电子。 本征半导体中的载流子是自由电子和空穴。 因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，且方向相反。 本征半导体中载流子的浓度 本征半导体中载流子浓度的特点 本征半导体中载流子的浓度很低，导电性能很差。 本征半导体中载流子的浓度与温度密切相关。 本征半导体要点归纳 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 温度越高-载流子的浓度越高-本征半导体的导电能力越强。 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 杂质半导体分类： N型半导体 P型半导体 14.1.2 N型半导体和P型半导体 多子和少子 多子由掺杂形成，取决于掺杂浓度。 少子由热激发形成，取决于温度。 问题 杂质半导体的导电能力由谁决定？ 为什么用杂质半导体制作器件？ 杂质半导体多子浓度由什么决定? 杂质半导体少子浓度由什么决定? 杂质半导体归纳 杂质半导体中两种载流子浓度不同，分为多数载流子和少数载流子（简称多子和少子）。 杂质半导体中多子数量取决于掺杂浓度，少子数量取决于温度。 杂质半导体中起导电作用的主要是多子。 N型半导体中电子是多子，空穴是少子。 P型半导体中空穴是多子，电子是少子。 半导体中的两种电流 1.漂移电流：由载流子的漂移运动形成的电流。 漂移运动：由电场力引起的载流子定向运动。 2.扩散电流：由载流子的扩散运动形成的电流。 扩散运动：由于载流子浓度不均匀（浓度梯度）造成的运动。 以上2种电流的方向与载流子的方向有关。 空穴电流的方向与运动方向一致。 电子电流的方向与运动方向相反。 14.2 PN结及其单向导电性 1.PN结的形成 2.PN结的单向导电性 3.PN结的伏安特性 PN结是构成半导体器件的核心结构。 PN结是指使用半导体工艺使N型和P型半导体结合处所形成的特殊结构。 PN结是半导体器件的心脏。 PN结的形成 在一块本征半导体的两侧通过扩散不同的杂质，分别形成N型半导体和P型半导体。 PN结建立在在N型和P型半导体的结合处，由于扩散运动，使空穴和电子形成不能移动的负离子和正离子状态。 PN结称为 ---空间电荷区 耗尽层、 阻挡层。 PN结很窄（几个到几十个 ?m)。 PN结形成归纳 空间电荷区中没有载流子。 空间电荷区中内电场阻碍多子（P中的N中的电子）的扩散运动。 空间电荷区中内电场推动少子（P中的电子、N中得空穴）的漂移运动。 P中的电子和N中的空穴（都是少子）数量有限，因此由它们形成的漂移电流很小。 PN结的单向导电性 若外加正向电压，使电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大。 若外加反向电压，PN结呈高阻性，所以电流小。 外加电压使PN结中： P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏。 P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。 PN结单向导电性归纳 正向特性：P（+），N（-）外电场消弱内电场，PN结电阻小，电流大，导通；I的