2014(压阻-第3讲)试卷.ppt

2007 2007 2007 2007 2007 自检测压力传感器的几种类型 静电驱动压力自检测传感器 压敏电阻 硅杯 玻璃 下极板 上极板 P 2007 自检测压力传感器的两种类型 原理：压力敏感膜片充当下电极板，压力腔上部淀积金属形成上极板，在电压作用下两极板间产生静电力，使压力敏感膜片变形，引起压阻上应力变化，从而使电桥输出电压变化，以此来检测压力传感器的工作是否正常 2007 自检测压力传感器的两种类型 热气驱动自检测压力传感器 ： 硅 加热电阻 玻璃 2007 原理：在绝压腔内封入一定量的气体，当密封腔内的气体被加热，气体发生膨胀，压力敏感膜就会因腔内压力变化而产生形变，引起压阻上应力变化，从而使电桥输出电压变化 2007 单晶硅压力传感器利用压阻效应的应用可归纳为两类：①只利用纵向压阻效应；②同时利用纵向压阻效应和横向压阻效应。应变电阻应放置在膜片受力后应变大的部位，通过有限元分析可知单晶硅压力敏感膜片的最大应力区分别在膜片的中心（拉伸应变）和边缘（压缩应变）。在传感器的设计过程中，应根据实际的工艺条件选择合适的电阻布置方式。 多晶硅压阻的纵向压阻效应远大于横向压阻效应，只能利用纵向压阻系数，所以电阻条布置有所不同。 2007 压力传感器应变电阻的排布方式 压力传感器的应变电阻在压力敏感膜片上的可能排布方式 采用较好的排布方式来排列压阻以获得较大的输出信号 2007 2007 2007 2007 2007 5．压阻式集成压力传感器 利用半导体集成电路平面工艺制造技术实现压阻全桥力敏电阻与弹性膜片的一体化。在此基础上希望把更多的外围相关电路与压力传感器集成在同一芯片上，以提高传感器的性能。 1）带温度补偿的集成压力传感器： p80-p81 2）带放大器的单片集成压力传感器： p81-p82 2007 2007 2007 2007 2007 6．压力传感器的温度漂移及其补偿 零位失调及温漂： p92-p93 灵敏度温度漂移及自补偿： p93-p94 压阻式压力传感器灵敏度漂移的变压源补偿 1）基本原理 2）补偿电路 用压力-温度复合传感器进行温度补偿 1）电路设计 2）温度补偿 2007 2007 2007 2007 2007 2007 7．高温压力传感器 多晶硅压力传感器： p100 SOI高温压力传感器： p100 SiC(碳化硅)高温压力传感器 1）3C-SiC薄膜高温压力传感器（注：3C-闪锌矿结构） 2）多晶SiC高温压力传感器 3）6H-SiC高温压力传感器 SOS蓝宝石压力传感器 石英压力传感器 陶瓷厚膜高温压力传感器 光纤高温压力传感器 2007 2007 2007 2007 2007 2007 2007 2007 2007 2007 在硅膜片上，根据P型电阻的扩散方向不同可分为径向电阻和切向电阻，如图 (b)所示。扩散电阻的长边平行于膜片半径时为径向电阻Rr；垂直于膜片半径时为切向电阻Rt。当圆形硅膜片半径比P型电阻的几何尺寸大得多时，其电阻相对变化可分别表示如下，即 （5.1-60） （5.1-61） 以上各式中的πl及πt为任意纵向和横向的压阻系数，可用（5.1-57）和（5.1-58）式求出。 若圆形硅膜片周边固定，在均布压力的作用下，当膜片位移远小于膜片厚度时，其膜片的应力分布可由（5.1-52）、（5.1-53）两式推导得到，即 （5.1-62） （5.1-63） 式中 r、x、h——膜片的有效半径、计算点半径、厚度（m）； μ——泊松系数，硅取μ=0.35； P——压力（Pa）。 σt σr σr σt σt σr 3P 4 r h 2 3Pμ 4 r h 2 3P(1+μ) 8 r h 2 图5.1-25 平膜片的应力分布图 根据上两式作出曲线（见图5.1-25）就可得圆形平膜片上各点的应力分布图。当x=0.635r时，σr=0；x0.635r时，σr0，即为拉应力；x0.635r时，σr0，即为压应力。当x=0.812r时，σt=0，仅有σr存在，且σr0，即为压应力。 0 0.5 1 r [110] [001] [110] 0.635r 图5.1-26 晶向式[1 1 0]的硅膜片传感元件 下面结合图5.1-26讨论在压力作用下电阻相对变化的情况。在法线为[1 1 0]晶向的N型硅膜片上，沿[1 1 0]晶向，在0.635r半径的内外各扩散两个P型硅电阻。由于[1 1 0]晶向的横向为