第三单元门电路.pptVIP

三、获得高、低电平的基本开关电路 一、半导体二极管的开关特性 二极管具有单向导电性： 外加正向电压时导通，相当于开关闭合； 外加反向电压时截止，相当于开关断开。 正向导通压降：硅管0.7V，锗管0.3V。 一、三极管的特性 二、双极型三极管的基本开关电路 三、三极管的开关等效电路 四、三极管的动态开关特性 3.5.5 其它类型的TTL门电路 一、TTL与非门 二、TTL或非门 三、TTL与或非门 四、TTL异或门 五、集电极开路的门电路（OC门） 六、三态输出门电路（TS门） 一、TTL与非门 特点：将TTL反相器的输入端改为多发射极三极管 二、TTL或非门 五、集电极开路的门电路（OC门） 1、电路结构 2、OC门实现“线与” 分析： G1、G2任一导通，Y=0 G1、G2全截止，Y=1 3.3 CMOS门电路 一、MOS管的结构 二、MOS管的四种类型 增强型 耗尽型 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 二、工作原理 一、CMOS与非门和或非门 NMOS串，PMOS并 NMOS并，PMOS串 二、带缓冲级的CMOS与非门和或非门 （1）带缓冲级的CMOS与非门 五、三态输出门 三态门的用途 门电路的输入输出高、低电平 门电路的输入噪声容限 3.3.5 其它类型的CMOS门电路 一、CMOS与非门和或非门 二、带缓冲级的CMOS与非门和或非门 三、CMOS OD门 四、CMOS传输门 五、CMOS三态门 0 0 ? ? ? ? 1 0 1 ? ? ? ? 1 1 0 ? ? ? ? 1 1 1 ? ? ? ? 0 A B T1 T2 T3 T4 Y 与非门 A B T1 T2 T3 T4 Y 0 0 ? × ? × 1 0 1 × × ? ? 0 1 0 ? ? × × 0 1 1 × ? × ? 0 或非门 T1 T3 T2 或非门+缓冲器=与非门 （2）带缓冲级的CMOS或非门（P93） 与非门+缓冲器=或非门 三、OD门（漏极开路的门电路） 电路图 电路符号 OD门的作用： （1）实现电平的转换；（2）实现线与。 OD门的线与接法 四、CMOS传输门 C、C－控制信号 C T1、T2均截止 输入和输出之间呈高阻态 传输门截止 （1）当C=0，C=1时 0vI VDD－VGS(th)N时，T1导通； （2）当C=1，C=0时 ∣VGS(th)P∣VI VDD时，T2导通。 故0vI VDD时，T1、T2至少有一个导通。 传输门导通 C 应用时多接在集成电路的输出端， 又称为输出缓冲器 （高阻态） 数字电子技术基础 第三章 门电路 本章学习思路：了解内部结构特点，掌握功能及外部特性，掌握各种特性曲线及应用，熟悉各种参数，掌握连接规律并能定性判断电路功能。 3.1 概述 3.2 半导体二极管门电路 3.3 CMOS门电路 3.5 TTL门电路 3.1 概述 一、门电路 用以实现逻辑关系的单元电路，与基本逻辑关系相对应。 常见门电路： 与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门等。 二、正负逻辑体制概念 在电子电路中，用高、低电平表示1、0两种逻辑状态。 正逻辑：高电平对应“1”；低电平对应“0”。 负逻辑：高电平对应“0”；低电平对应“1”。 高/低电平都允许有一定的变化范围 3.2 半导体二极管门电路 高电平：VIH=VCC 低电平：VIL=0 vI=VIH D截止，vO=VOH=VCC vI=VIL D导通，vO=VOL=0.7V 设VCC = 5V 加到A,B的 VIH=3V VIL=0V 二极管导通时VDF=0.7V 3.7V 3V 3V 0.7V 0V 3V 0.7V 3V 0V 0.7V 0V 0V Y B A 1 1 1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 Y B A 规定3V以上为1 0.7V以下为0 二、 二极管门电路 1、二极管与门 设加到A,B的 VIH=3V VIL=0V 二极管导通时 VDF=0.7V 2.3V 3V 3V 2.3V 0V 3V 2.3V 3V 0V 0V 0V 0V Y B A 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 Y B A 规定2.3V以上为1 0V以下为0 2、二极管或门 Y=A+B 3.5 TTL门电路 VBE VON, iB = 0, iC≈0, c－e