2016科学3-1试卷.pptVIP

三、 点缺陷的化学平衡 缺陷的产生和回复是动态平衡，可看作是一种化 学平衡。 1 、Franker缺陷：如AgBr晶体中 当缺陷浓度很小时， 因为填隙原子与空位成对出现，故有 (2) Schtty缺陷： 例： MgO晶体 第二节 晶体的线缺陷 一、位错的概念 实际晶体在结晶时由于杂质、温度变化或振动产生应力作用，或者由于晶体受到外界应力作用，使晶体内部质点排列变形，原子面相互滑移。 一块晶体受压应力上半部受压缩而向里滑移，滑移区与非滑移区交界线附近晶体质点的排列与原晶体相滑移，而不再符合理想晶格的有序排列，这样形成的线状的缺陷，称位错。 最简单的位错有两种------刃位错和螺位错。 （一）刃位错 若一个晶面在晶体内部突然终止于某一条线处，则称这种不规则排列为一个刃位错。刃位错附近的原子面会发生朝位错线方向的扭曲。刃位错可由两个量唯一地确定：第一个是位错线，即多余半原子面终结的那一条直线；第二个是伯格斯矢量（Burgers vector，简称伯氏矢量或柏氏矢量），它描述了位错导致的原子面扭曲的大小和方向。对刃位错而言，其伯氏矢量方向垂直于位错线的方向。 往里压一个原子间距，即晶体往里滑移矢量 ，滑移区与不滑移区的相交线EF称为位错线。 EF线上原子排列与原来的原子之间排列不同。从图上可以看成多出半个原子面中HE像插进刀刃一样故称为刃位错。用符号 表示，垂直线指向它的半个原子面。 标示的位置也就是位错线的位置，其周围原子都发生畸变，位错线实际上是一个通道。位错线上面的晶格受压缩，下面的晶格受伸张，说明在位错心周围存在一个弹性的应力场。应力集中严重，能量比较高，所需要的能量称位错能。 半个原子面在上面称为正位错以 表示。 半个原子面在下面称为负位错以 表示。 同一滑移面正负位错能发生同向相斥异向相吸的作用相似。结果导致位错消失。 （二） 螺旋位错 将规则排列的晶面想像成一叠间距固定的纸片，若将这叠纸片剪开（但不完全剪断），然后将剪开的部分其中一侧上移半层，另一侧下移半层，形成一个类似于楼梯拐角处的排列结构，则此时在“剪开线”终结处（这里已形成一条垂直纸面的位错线）附近的原子面将发生畸变，这种原子不规则排列结构称为一个螺位错。 右图为沿ABCD切开，当沿CB方向施加一个剪切应力， 而和ABCD面在 位置上错开一个原子间距，晶体已滑移部分与后面未滑移部分中间的交线AD为螺旋位错线，AD周围有 畸变。由于和位错线AD垂直的平面不是水平的，而是像螺旋形的，故称为螺旋位错，用符号P表示。 螺旋位错的特点：BB’ 是向下滑移，所以滑移矢量与位错线平行。 螺位错中没有多余的原子面，但位错线可以通过移动滑移到晶体边界造成一个原子面间距的滑移。 （三）混合位错 位错线与滑移矢量垂直为刃位错。位错线与滑移矢量平行，为螺旋位错。当错线方向和滑移矢量既不垂直又不平行，这种位错称为混合位错。它们可以分解为垂直和平行的两组分。即混合位错可以分解成刃位错和螺位错。 二、位错的基本理论 （一）位错的柏格斯矢量 在理想晶格中，从A点开始向右位移四布拉维格子矢量 ，然后五步向下，再向左四步，向上五步，刚好回到A点，构成一个闭合回路。 但在实际晶体（尊在位错）中。从 点开始，顺序依照理想晶格中的回路，用同样的步数，则不能回到起始点 ，而是B点。为了使它形成闭合回路，只有作B到A 的矢量 。该矢量就叫做柏格斯矢量。它等于晶格间距（或其倍数）。 由此看来，柏格斯回路只是把存在位错线周围原子间距的畸变量叠加起来，其总的结果就是柏格斯矢量。 图左示出晶体左侧面螺旋位错上点E的柏格斯回路，可以得出从B到A′的柏格斯矢量 。 理想晶体的柏格斯矢量 为0。 （二）位错周围的应力场和弹性应变能 根据力学观点，一个规则结晶格子受力歪曲后，则该结晶格子内产生应力场和应变能。 从位错形成过程知道，在位错线附近原子的排列是缺乏规则性的。例如刃位错的情况，一层额外原子平面塞入，使位错上面原子处于压应力，下面原子处于张应力。 总之在位错的周围产生应力场和应变能。同样在围绕一个螺旋位错的晶体圆柱体区域 也有应力场和应变能存在。 单位长度位错的弹性应变能E和柏格斯矢量b与如下关系： 由于位错存在弹性应变能，所以是属于一种介稳状态，位错线上的原子价不饱和，这就有利于杂质离子（或原子）聚集在位错线附近，因为杂质离子的半径和晶体基质离子不同，在