工艺与结构概要.ppt

BondingWire电感的精确计算 精确计算必须依靠全三维电磁场仿真： BondingWire的形状与弧度 BondingWire的端接形式 BondingWire与地平面的距离 Flip-Chip工艺 FC工艺的焊接通常使用铟、铅合金实现。由于焊接导致出现的寄生电感通常为50 pH左右，远远小于BondingWire工艺的~ 1 nH/mm的水平。 FC工艺非常适合于BGA等封装的焊接 FC工艺通常很贵，大约是BondingWire 工艺的2~3倍。 Heat spreader Laminate substrate Die Stiffener ring 0.60 mm 0.50 mm 0.62 mm Stiffener ring Stiffener adhesive Die-attach adhesive Sn/Pb solder bumps Underfill epoxy BGA 结构设计 结构设计需要考虑的要素： 接插件的选择与排布 接插件信号安排 电路屏蔽与分腔 维修性 振动 MCM（Multi-Chip Module）设计 MCM是一种由两个或两个以上裸芯片或者芯片尺寸封装(CSP)的IC组装在一个基板上的模块，模块组成一个电子系统或子系统。基板可以是PCB、厚／薄膜陶瓷或带有互连图形的硅片。整个MCM可以封装在基板上，基板也可以封装在封装体内。MCM封装可以是一个包含了电子功能便于安装在电路板上的标准化的封装，也可以就是一个具备电子功能的模块。它们都可直接安装到电子系统中去(PC，仪器，机械设备等等)。 MCM技术分类 MCM-L：采用片状多层基板的MCM。 特点：MCM-L技术本来是高端有高密度封装要求的PCB技术，适用于采用键合和FC工艺的MCM。MCM-L不适用有长期可靠性要求和使用环境温差大的场合。 MCM-C MCM-C:采用多层陶瓷基板的MCM。 特点：MCM-C适用于从模拟电路、数字电路、混合电路到微波器件所有的应用。多层陶瓷基板中低温共烧陶瓷基板使用最多，其布线的线宽和布线节距从254微米直到75微米。 ??MCM-D ??MCM-D：采用薄膜技术的MCM。 MCM-D的基板由淀积的多层介质、金属层和基材组成。MCM-D的基材可以是硅、铝、氧化铝陶瓷或氮化铝。典型的线宽25微米，线中心距50微米。层间通道在10到50微米之间。低介电常数材料二氧化硅、聚酰亚胺或BCB常用作介质来分隔金属层，介质层要求薄，金属互连要求细小但仍要求适当的互连阻抗。 SIP（System in Package） SIP的定义： 将半导体器件、无源器件及互联电路以任意方式组合、封装在 同一个封装内的技术。 源自：International Semiconductor Association 封装形式： 塑封后组装——低成本容易组装整体塑封——适用于大批量生产COB封装——裸芯片和表面贴装元件封装在一起金属封装——耐恶劣环境。封装成本高陶瓷封装——高性能封装 SIP发展的驱动力 SIP的形式 2D SIP 3D SIP SIP设计挑战 1、成本： The SiP process is economically viable only if the associated yield Y-SiP of the packaged SiP is enough high ！ 2、裸片测试 3、可靠性分析 国外进展 混合设计射频系统 多层垂直馈电 多层垂直馈电系统实物 结束谢谢 工艺与结构 工艺与结构对射频系统的影响 含义： 什么是工艺设计？ 什么是结构设计？ 影响： 工艺设计对射频系统的影响？ 结构设计对射频系统的影响？ PCB的工艺实现 厚膜工艺的基板生产 薄膜工艺的基板生产 微组装生产工艺 检测与封装 微波介质板的选择 在高频电路的设计中，不可避免的会用到各种板材作为传输线和电路的物理基础。但是，板材的型号众多，不同的板材之间存在着各种性能的差别。如何选择合适的板材，并在产品性能、可靠性和加工性方面取得合适的折中是板材选用的一个主要问题。 为什么使用PTFE薄板材 在高频设计中，通常会需要使用较薄的板材来实现设计，这基于以下一些特殊的原： 抑制不需要的寄生模式的传输 损耗 铜带卷曲力 PTFE材料的分类 玻璃低填充 玻璃编织布填充 陶瓷微粒填充 玻璃低填充 优势： 具有PTFE材料中最好的电性能 劣势： 通常具有较高的Z向（垂直向）CTE，这会严重 影响金属化通孔的制造可靠性。 PTFE材料自身强度很低，所以PTFE板材在钻孔和夹具夹持方面都有一些特殊的要求 玻璃编织布低填充PTFE 优势： 电性能接近玻璃纤维填充PTFE； 尺寸稳定性和强度都要高