压电陶瓷及厚膜之研究.ppt

壓電陶瓷及厚膜之研究 授課老師:張文俊 教授 報告人:蘇聖謙 蔡弘修 目的： 探討粉粒大小對鋯鈦酸鉛(PZT)壓電陶瓷及厚膜鐵電、介電及壓電特性的影響。 探討補償氣氛對鋯鈦酸鉛(PZT)壓電陶瓷及厚膜鐵電、介電及壓電特性的影響。 組成： 本研究以PZT(51/49)組成為研究對象，所用的基本組成為： (Pb0.96Sr0.06)0.980(Zr0.51Ti0.49)0.995O3 所使用的補償氣氛為PbZrO3： PbO + ZrO2 ? PbZrO3 [燒成溫度1000oC] 研究步驟： (A)基本組成的探討 (1) 調配PbZrO3以作補償粉用。 (2) 調配兩種基本組成 (a)不含鉛 (b)含鉛 加3wt%PbO作為內補償用。 (3) 以850oC進行煆燒2小時[以XRD來判定結晶相]。 (4) 煆燒後以球磨粉碎，分兩種粉粒，一粗一細。 (5) 將研磨後的粗細粉粒以(C100/F0)，(C75/F25)，(C50/F50)，(C25/F75)，(C0/F100)的重量比例來混合，其中C為粗粉，F為細粉。 (6) 陶瓷體製作： (a)將粉粒以1000Kg/cm2的壓力壓製成直徑14.4mm，厚度約1.6mm的片形試片[胚體密度約為4.5g/cm3]。 (b)每五片為一批，將試片叠在一起，週邊放置試片總重量1倍的補償粉末，然後蓋上氧化鋁坩堝。 (c)以1200oC至1350oC測試最佳燒結溫度，以25oC為一溫度變量間隔。[密度為理論密度的95%以上，即7.6g/cm3以上] 。 (d)將試片磨至約0.7mm，然後在兩面上銀膠來燒製電極。 探討 影響PZT陶瓷體其燒結及最終壓電介電特性之因素十分多，例如煆燒條件，PbO的含量，燒結時的PbO氣氛等。 首先討論煆燒條件的影響: (1)煆燒溫度， (2)煆燒時間。 (在燒成PZT陶瓷體時煆燒溫度必須要作適當的選擇，煆燒溫度過低反應不完全，增加燒結的困難度，煆燒溫度過高PbO大量揮發使最終組成改變。) (太低的溫度；例如700oC，無論煆燒時間多表均無法使密度提升，相對的也就會使陶瓷體的特性變差。而適當的煆燒溫度；例如900oC，則可以使煆燒時間縮短，同時也可以得到特性較為優良的陶瓷體。同時由圖4-34的結果可知900oC煆燒與1000oC煆燒所得到的陶瓷體之密度相差不大，但必須注意的是以1000oC來煆燒時其PbO的揮發量會比900oC來煆燒者為大，亦即是其最終成品偏離原組成會愈嚴重，因此一般而言以800oC至900oC的溫度來煆燒PZT是最適宜，而煆燒時間通常兩小時就已足夠。 在PZT燒結過程中PbO含量的控制是一十分重要的步驟。 控制PZT陶瓷體中Pb含量的方法有 (1)在配方中加入額外的PbO含量。 (2)加補償粉 是在燒結過程中採用能產生PbO蒸氣壓的氣氛粉末或包裝粉末來抑制陶瓷體內PbO的揮發。 PbZrO3是一十分理想的氣氛粉末，除了PbZrO3以外，在密封坩堝內將PZT陶瓷胚片埋於相同組成而經過煆燒的粉末也可以抑制PbO揮發。同時在配方中加入額外的PbO含量並採用補償氣氛粉末將可以得到更為良好的燒結特性。 * * 粉末調配 混合研磨 煆燒 X-ray 壓成試片 燒結 量電極 量特性 *