第10章的电性质分解.pptVIP

* * 第四篇材料的物理、化学性质 第十章 材料的电性质 固体材料中的电子能带结构 金属的电阻 半导体 绝缘体 超导体 主要内容 跨 越 27 个 数 量 级 固 体 材 料 导电载流子： 电子、空穴、正离子和负离子 欧姆定律 电阻率（欧姆.米） J 为电流密度；E为电场强度 电导率, σ, S/m，（西门子/米） 载流子迁移率μ：单位时间内沿电场方向或相反方向迁移的距离，m2 / (V.s)，n载流子密度、e 载流子荷电量 §10.1 概述 常用电导率的倒数-电阻率ρ来说明它与其它性质的关系。 ρ= 1/σ，单位为Ω·m (欧[姆]米)。 电导率取决于材料的电子能带结构 退火铜Cu截面积1mm2、长1m、20℃，电导率为5.8×107 S/m。 Al和Ag相对电导率分别为61%和106%。 工程上材料的电导率常以国际退火铜电导率的百分数表示，即相对电导率IACS(Intenational Annealed Copper Standard) 。 IACS= σ/σCu。 典型金属是良导体，电导率为105S/m， 绝缘体的电导率非常低，为10-6~10-18S/m。 电导率介于导体和绝缘体之间的材料为半导体，一般为10-6~100S/m。 电子受到邻近电 子和原子核的作 用，使能级分裂 孤立原子的电子处于分立的能级上。 一个能级分裂后，密集能级的能量范围叫做能带。 能级分裂从价电子开始，价电子能级分裂成的能带称为价带。是满带或未被填满。 与各原子的激发能级相应的能带在未被激发的时没有电子填入，称为空带或导带。 §10.2 固体材料中的电子能带结构 1. 金属的电子能带结构 在0 K时，价带中被电子所占据的最高能级称为费密能级，费密能级以上都是空能级。 钠原子3s能级分裂为N个能级，3s能带 3s 能带一半充满，只需很小能量就可激发出自由电子，是良导体。 IA和IB族单价原子（Li ，Na，K，Cu，Ag，Au等）都是良导体 3s能带还与能量较高的3p空能带发生部分交叠 全满3s与部分充满3p 能带交叠。也是良导体 过渡族金属未充满的d能带并与最外层的 s 能带交叠，也具有一定的导电性。 (a)激发前 (b)激发后 价电子被共价键或离子键束缚在 键合原子上。 能量较低的价带与能量较高的导 带在原子平衡间距处没有交叠 Eg = Ec -Ev Eg = Ec -Ef Ec，导带最低能量 Ev，价带最高能量 Ef为费密能量 须有足够的能量（E≥ Eg） 激发它 绝缘体的禁带宽度为 5 ～10 eV 半导体的禁带宽度比较窄，为 0.2～3 eV，单位体积内自由电子数为 1016～1019个/m3。 2.绝缘体和半导体的电子能带结构 §10.3 金属的电阻 产生电流 电子失去部分动能并改变运动方向 电子 晶体缺陷（热振动、杂质原子、 空位、间隙原子和位错等）对电 子运动的散射，即电阻。 散射作用与电场的加速作用相抗衡，使电流迅速达到平衡值 |e| =1.6×10-19C 电子迁移率μe ：描述散射作用的参数 电子散射几率越高，则迁移率越低，电阻率就越高。 ρ的影响因素---Matthiessen定律 金属晶体缺陷的浓度与原子热振动（温度）、杂质和塑性形变量有关。 （1）温度越高，ρ就越高。 纯铜和铜镍合金的ρ-T关系曲线 各个因素对金属电阻率的影响规律： 电阻率温度系数 T=(t-20)℃。 （2）杂质原子改变了金属正常晶体结构，引起对电子迁移的额外散射，使电阻率提高。 （3）随塑性形变量的增加，位错增多，从而电阻率增高 电材料应用: 高压线：强度高且导电性好.钢丝增强铝。 炉内加热元件：高电阻率且耐高温氧化。铁铬铝合金 §10.4 半导体 元素本征半导体：Si和Ge (IVA) ，禁带宽为1.1 和 0.7eV 化合物本征半导体：IIIA和VA族化合物，如GaAs和锑化铟（InSb）；II B和VI A族化合物，如CdS和碲化锌（ZnTe） 本征半导体的电子与空穴同时参与导电，电导率为 μe＜μb n，p分别为单位体积内的电子与空穴数； 由于n=p， 1、 本征半导体 2、非本征半导体 杂质在本征半导体中的固溶体，杂质浓度 (100～1000)×10-6。 ① n 型非本征半导体:五价原子掺杂(如 P,As,Sb等) 电子是多数载流子(简称多子),空穴是少数载流子(简称少子);. n ?p 施主 电子能带模型 Si Eg=1.1ev Eg＜0.1 eV, 易被激发 Sb P As 0.04 靠近导带 Ec Ed Ea Ev 0.045 B Al Ga 0.0