半导体硅熔体磁动力粘滞系数的研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 半导体硅熔体磁动力粘滞系数的研究 徐岳生张雯王海云刘彩池 (河北工业大学材料学院300130) 摘要：用魔环结构的钕铁硼永磁体，向半导体硅熔体所在空间，引入磁感应强度(0～ 0．27特斯拉连续可调)，采用回转振荡法测量熔硅的粘度，结果表明，熔硅粘度随着磁场 强度的增加而增加，二者呈典型抛物线关系。熔硅温度升高，磁场影响加剧，抛物线更加 陡峭。1420～1550℃温度区间内，熔体粘度有异常起伏，反映出熔硅结构(熔硅原子结合 状态)发生变化。当引入磁感应强度值为0．15特斯拉时，熔硅粘度值增加30倍，证实引 入磁场是硅单晶大直径生长，抑制熔硅热对流的有效措施。 关键字：魔环永磁体，熔硅粘度，回转振荡法，钕铁硼永磁体 一前言 硅单晶向大直径化发展，投料量急剧增加(制备①12英寸硅单晶，投料应为300公斤)， 大体积熔体，作为晶体生长的环境相，愈来愈受到重视。熔硅强烈热对流，将严重影响硅 单晶质量，甚至破坏单晶生长。向熔硅所在空间引入磁感应强度，利用导电熔体在磁场中 运动受到的罗仑兹力，阻滞熔体流动，这是目前生长≥①6英寸硅单晶行之有效的方法。 此外，目前开展的大直径硅单晶计算机动态数字模拟，需要获得熔硅物性与结构的准确消 息。本文研究了磁场下影响熔硅输运过程的重要参数，粘度的变化规律及其反映的结构变 化，对磁场下制备大直径硅单晶，具有重要参考意义! 二实验装置 1水平磁场下用回转振荡法测量熔体粘度 测试设备如图一所示： 硅棒在坩埚内由石墨加热器加热熔化，根据实验要求，调整水平磁场强度和测试温度，启 动回转电机，通过悬丝带动下端浸入熔硅的转子旋转。当熔硅的内摩擦力矩与转子转矩达 到平衡时，记录悬丝的扭转角。旋转角大小通过反射镜和激光探测器精确测定。将该扭转 角与标准液体所对应扭转角比较，即可计算出熔硅粘度。 2磁场的选择与磁感应强度的引入 采用钕铁硼(NdFB)永磁体构成磁环，每个磁环可以向环的内部引入呈水平分布的磁感应 强度，且， R—BrInR2／ u ／K B：引入磁环内部空间的水平磁感应强度 曰，：永磁铁表面箭头所表示方向的磁场强度 尼：磁环的外径 墨：磁环的内径 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 设计两个直径不同的磁环，使得小磁环外径正好套入大磁环的内径中，构成内外磁环可以 相转动的“魔环”结构。根据磁场叠加原理，转动改变两环的相对位置，就可以连续调节 内环中引入的磁感应强度值。本实验中B值从0～0．27特斯拉连续可调。如图二，如图三 所示。 5石 6熔 图一带水平磁场的高温粘度测量设备 图二内外环磁场 图三永磁环磁化方向 433 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 三实验结果 1 1420℃磁场对熔硅粘度的影响 在硅熔点附近，改变引入的磁感应强度B值，测量粘度的变化，如图四所示： 粘度和B值之间呈抛物线关系 2升高熔硅温度，引入不同B值测量其粘度变化。粘度和B值之间，仍呈抛物线关系，但 随着温度升高。磁场对粘度的影响愈来愈明显，抛物线变陡峭。如图五所示： 图四硅熔点(1420℃)处硅熔体的粘度与磁感应强度的关系 (do一至88； 图五不同温度下硅熔体的粘度与磁感应强度的关系 图六硅熔体的粘度随温度的异常变化 3硅熔体粘度随温度的异常变化 熔硅粘度在1420℃到14906C之间，在其他测试条件相同的情况下，粘度随温度的变化发 生起伏。如图六所示。 四讨论 1熔硅粘度77随引入磁感应强度呈抛物线变化，这与磁流体力学有关磁动力