绝缘栅场效应晶体管工作原理及特性.doc

绝缘栅场效应晶体管工作原理及特性 场效应管(MOSFET)是一种外形与普通晶体管相似，但控制特性不同的半导体器件。它的输入电阻可高达1015W，而且制造工艺简单，适用于制造大规模及超大规模集成电路。场效应管也称MOS管，按其结构不同，分为结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管两种类型。在本文只简单介绍后一种场效应晶体管。 绝缘栅场效应晶体管按其结构不同，分为N沟道和P沟道两种。每种又有增强型和耗尽型两类。下面简单介绍它们的工作原理。增强型绝缘栅场效应管图6-38是N沟道增强型绝缘栅场效应管示意图。在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，称漏极D和源极S如图6-38(a)所示。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏-源极间的绝缘层上再装一个铝电极，称栅极G。另外在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。它的栅极与其他电极间是绝缘的。图6-38(b)所示是它的符号。其箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。 图6-38 N沟道增强型场效应管 场效应管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数场效应管在出厂前已联结好)。从图6-39(a)可以看出，漏极D和源极S之间被P型存底隔开，则漏极D和源极S之间是两个背靠背的PN结。当栅-源电压UGS=0时，即使加上漏-源电压UDS，而且不论UDS的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道，所以这时漏极电流ID≈0。若在栅-源极间加上正向电压，即UGS＞0，则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场，这个电场能排斥空穴而吸引电子，因而使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子)，形成耗尽层，同时P衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表面。当UGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏-源极之间仍无导电沟道出现，如图6-39(b)所示。UGS增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当UGS达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N+区相连通，在漏-源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图6-39(c)所示。UGS越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸引到P衬底表面的电子就越多，导电沟道越厚，沟道电阻越小。我们把开始形成沟道时的栅-源极电压称为开启电压，用UT表示。 图6-39 N沟道增强型场效应管的沟道形成图 由上述分析可知，N沟道增强型场效应管在UGS＜UT时，不能形成导电沟道，场效应管处于截止状态。只有当UGS≥UT时，才有沟道形成，此时在漏-源极间加上正向电压UDS，才有漏极电流ID产生。而且UGS增大时，沟道变厚，沟道电阻减小，ID增大。这是N沟道增强型场效应管的栅极电压控制的作用，因此，场效应管通常也称为压控三极管。N沟道增强型场效应管的输出特性曲线和转移特性曲线如图6-40和图6-41所示。 2．耗尽型绝缘栅场效应管从结构上看，N沟道耗尽型场效应管与N沟道增强型场效应管基本相似，其区别仅在于当栅-源极间电压UGS= 0时，耗尽型场效应管中的漏-源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在UGS≥UT时才出现导电沟道。原因是制造N沟道耗尽型场效应管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型场效应管时掺入负离子)，如图6-42(a)所示，因此即使UGS=0，在这些正离子产生的电场作用下，漏-源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压UDS，就有电流ID。如果加上正的UGS，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，ID增大。反之，UGS为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，ID减小。当UGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，ID趋于零，该管截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压，用UP表示，为负值。在UGS=0、UGS0、UPUGS0的情况下均能实现对ID的控制，而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻，使栅极电流下均能实现对ID的控制，而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻，使栅极电流为零。这是耗尽型场效应管的一个重要特点。? 图6-42 N沟道耗尽型场效应管 图6-42(b)是N沟道耗尽型场效应管的代表符号。图6-43是N沟道耗尽型场效应管的输出特性曲线，图6-44是N沟道耗尽型场效应管的转移特性曲线。实验表明，耗尽型场效应管的转移特性可近似用表示为?????????????????????????????????????????????????? ? 图6-43 N沟道耗尽型场效应管的输出特性曲线 图6-