Nd2O3电阻式薄膜记忆体最佳退火特性与最稳定电流电压值之研究.doc

Nd2O3電阻式薄膜記憶體最佳退火特性與最穩定電流電壓值之研究 李堅誌 鄭建民 楊汎緯 南臺科技大學 電子工程系研究生 南臺科技大學 電子工程系教授 南臺科技大學 電子工程系副教授 You6110179@ ccmin523@ fwyang@.tw  摘要 本實驗利用射頻磁控濺鍍法在ITO/Glass為基板上沉積Nd2O3薄膜。通入40%氧氣濃度進行不同退火溫度以及最佳電流值找出最佳參數並進行電性、物性量測與電流機制探討，並在Nd2O3薄膜上鍍鋁(Al)做為上電極，因此形成一個金屬/絕緣層/金屬(MIM)電阻式記憶體。利用X-光繞射(XRD)與掃描式電子顯微鏡(SEM)分析薄膜的表面型態、結晶性與粗糙均勻度。電特性使用半導體參數分析儀(HP4156C)來量測Nd2O3薄膜的電流對電壓(I-V)特性，以此探討電阻式記憶體之特性，找出最佳參數與穩定的電壓與電流曲線圖。由實驗結果得知Nd2O3薄膜在溫度450度時，可以獲得最佳穩定之高電阻態(HRS)與低電阻態(LRS)。Nd2O3薄膜在no/off ratio量測在0.02安培為最佳穩定。 關鍵字: Nd2O3、電阻式記憶體、漏電流、退火。 Abstract By the RF sputtering technique, Nd2O3 thin films were deposited on t