单相整流电路的制作与检测(习题).doc.doc

二极管及整流电路习题(一): 一、 1、把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成 。 2、半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压 ，外加反偏电压 。 3、锗二极管工作在导通区时正向压降大约是　　　　，死区电压是　　　　。 4、硅二极管的工作电压为　　　　，锗二极管的工作电压为　　　　。 5、整流二极管的正向电阻越　　　　，反向电阻越　　　　，表明二极管的单向导电性能越好。 6、杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。 7、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为 现象。 8. PN结 导通， 时截止，这种特性称为 二 1、具有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将（ ）。 A、变好 B、变差 C、不变 D、无法确定 2、P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的 （ ）。 A、硅元素 B、硼元素 C、磷元素 D、锂元素 3、N型半导体是指在本征半导体中掺入微量的（ ）。 A、硅元素 B、硼元素 C、磷元素 D、锂元素 4、PN结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。 A、 变窄 B、 基本不变 C、变宽 D、无法确定 5、二极管正向电阻比反向电阻（ ）。 A、大 B、小 C、一样大 D、无法确定 6、二极管的导通条件（ ）。 A、uD0 B、uD死区 电压　　C、uD击穿电压 D、以上都不对 7、晶体二极管内阻是（ ）。 A、常数 B、不是常数 C、不一定 D、没有电阻 8、把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该二极管（ ）。 A、击穿 B、电流为零 C、电流正常 D、电流过大使管子烧坏 9、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（ ）。 A、减少 B、增大 C、不变 D、缓慢减少 10、二极管在反向截止区的反向电流（ ）。 A、随反向电压升高而升高 B、随反向电压升高而急剧升高 C、基本保持不变 D、随反向电压升高而减少 11、某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时，则该二极管（ ）。 A、正常 B、已被击穿 C、内部短路 D、内部开路 12、二极管电路如右图所示，则V1、V2的状态为（ ） A、V1、V2均导通 B、V1导通，V2截止 C、V1截止，V2导通 D、V1、V2均截止 13、当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量（ ）。 A、增加 B、减少 C、不变 D、无法确定 三、 1、二极管的内部结构实质就是一个PN结。（ ） 2、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导（ ） 3、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） 4、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） 5、硅二极管的热稳定性比锗二极管好。（ ） 6、普通二极管正向使用也有稳压作用。（ ） 7、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ） 8、二极管反向漏电流越小，表明二极管单向导电性越好。（ ） 9、对于实际的晶体二极管，当加上正向电压时它立即导通，当加上反向电压时，它立即截止。（ ） 四、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管为理想二极管。 二极管及整流电路习题(二): 一、填空 1、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。在纯净的半导体中掺入少量的 价元素，可形成P型半导体，又称 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 。 2、在本征半导体中掺入 价元素，可形成N型半导体，其中多数载流子为 ，少数载流子为 ，它的导电能力比本征半导体 。 3、如图，这是 材料的二极管的____