光电检测技术3材料.pptVIP

一般PSD分为两类：一维PSD和二维PSD。 一维PSD主要用来测量光点在一维方向的位置， 二维PSD用来测定光点在平面上的坐标(x, y)， （1）一维PSD 一维PSD感光面大多做成细长矩形。 b.光电位置传感器(PSD)的分类 入射光点位于A点的坐标位置： ①和②为信号电极，③为公共电极 A 1.两面分离型PSD 两面分离型PSD的两个面都是均匀电阻层，两对互相垂直的电极分别位于上下两个表面上。 （2）二维PSD 二维PSD的感光面是方形的,比一维PSD多一对电极按其电极位置可分为三种形式 2.表面分离型PSD 表面分离型PSD的相互垂直的两对电极在同一个表面上，光电流在同一电阻层内分成四部份，即Ix、Ix′、Iy、Iy′，并作为位移信号输出。它具有施加偏压容易，暗电流小和响应速度快等优点 3.改进表面分离型PSD 改进表面分离型PSD是对表面分离型的光敏面和电极进行了改进而做出的。优点是，暗电流小、响应时间快、易于加反偏压、位置检测误差小。 c.PSD转换放大电路 2.电流-电压转换电路原理图 V1 100kΩ Rf (1MΩ) 10pF A1（CA3140） 受光面 Rf(1MΩ) 100kΩ 10pF +10V A2（CA3140） V2 +10V Rf Rf A5 A2 A1 A4 A3 U 位置 信号 ΔI ΣI 受光面 1.一维的PSD转换/放大电路原理图 Rf值取决于输入电平的大小，U为模拟除法器，所有的运算放大器均为低漂移运算放大器。 为了适应内阻比较低的电流源，用作电流-电压变换电路的前置放大器要有低偏压电源特性以及较小的输人噪声电压和零漂电压，输人噪声通过PSD内阻与反馈电阻之比进行放大，为此，反馈电阻通常选择1MΩ左右, 一维的PSD? ③ 可同时检测位置和光强；PSD器件输出总电流 与入射光强有关，所以从总光电流可求得相应的入射 光强。 d． 光电位置传感器的特征和用途 光电位置传感器具有的特点： ① 对光斑的形状无严格要求，只与光的能量重心 有关； ② 光敏面无死区，可连续测量光斑位置，分辨率高，一维PSD可达0.2μm； 光电位置传感器被广泛地应用于激光束的监 控、平面度检测、一维长度检测、二维位置检测 系统等。 对准、位移和振动 e.使用PSD时的注意事项： (1) 注意PSD与光源的光谱匹配 PSD波长响应范围较宽，一般在300～1100nm范围内，峰值波长在900nm左右， (2) 注意所加电压不宜太大 也不能太小，以免影响PSD 的响应频率。 结电容Cj 是决定响应速度的一个主要因素。当反偏压超过一定值时，结电容基本上为一常数。 从曲线可知，越接近边缘，其位置检测误差越大。使用时尽量不要接近边缘。 (3)注意使用PSD时的环境温度 当入射光波长小于950nm时，温度变化对其灵敏度基本上无影响，但光波长大于950nm时其灵敏度随着温度的变化较大。 (4)注意位置测量误差范围 雪崩光电二极管有以下特征： 1）灵敏度很高:电流增益可达102～103； 2）响应速度快:响应时间只有0.5ns， 响应频率 可达100GHz； 3）噪声等效功率很小:约为10-15W。 4）反偏压高,可达200V,接近于反向击穿电压。 广泛用于光纤通讯、弱信号检测、激光测距等领域。 3.5.3.雪崩光电二极管(APD) 雪崩光电二极管是借助强电场产生载流子倍增效应工作的一种高速光电二极管。 雪崩倍增效应:当在光电二极管上加（100-200V）反向偏压时，在结区产生一个很强的电场。结区的光生载流子受强电场的加速获得很大的能量，与原子碰撞时可使原子电离，新生的电子-空穴对在向电极运动过程中又获得足够能量，再次与原子碰撞，又产生新的电子-空穴对。这一过程不断重复，使PN结内电流急剧增加， 雪崩倍增效应 3.5.4.紫外光电二极管 紫外光是频率很高的电磁波，由于半导体材料对电磁波的吸收与波的频率有关，频率越高吸收越大，所以大多数紫外光生载流子将产生在材料的表面附近还没有到达结区就因密度太大而被复合掉，响应率很低。 研究和分析认为：制造时采用浅PN结和肖特基结的结构，可以增强对蓝、紫波长光的吸收和响应率。 已经研制的蓝、紫光增强型硅光电二极管，具有PN结浅、电子扩散长度大和表面复合速率小等三方面的优点。目前生产的系列紫外光电二极管的光谱范围从190～1100nm。 1.蓝、紫增强型硅光