晶硅太阳能电池预案.doc

能科1304 吴静 1131540421 一、 硅(Si)元素 2 1.1硅的分布 2 1.2物理性质 2 1.3化学性质 3 1.4晶体结构 3 1.5硅材料的半导体性质 4 1.6光谱响应 5 二、 硅的发现及晶硅太阳能电池的历史 6 2.1硅的发现 6 2.2晶硅电池发展简史 7 三、 硅的提纯工艺 8 3.1高纯多晶硅制备 8 3.2化学提纯 8 3.3单晶硅的生长工艺 10 3.4多晶硅生长工艺 17 四、晶片加工工艺 20 4.1切断 20 4.2滚圆（切方块） 20 4.3切片 21 4.4化学腐蚀 24 五、太阳电池设计要点 25 5.1 各类硅材料太阳电池比较 25 5.2 太阳电池设计要点 26 六、晶硅太阳能电池制备工艺 26 6.1基本概念 26 6.2工艺步骤 27 七、太阳能电池组件封装 30 7.1封装的原因 30 7.2组件的定义 31 7.3封装的形式 31 7.4封装流程 31 7.5 封装材料 32 7.6太阳电池组件制造设备 33 7.7太阳电池组件封装工艺 33 八、晶硅太阳能电池性能表征 34 8.1太阳电池测试分析 34 8.2太阳电池测试标准条件为 34 8.3检测 35 九、光伏系统 36 9.1太阳电池等效数学模型 36 9.2光伏独立发电系统 39 9.3光伏并网发电系统 40 9.4逆变器 41 晶硅太阳能电池 硅(Si)元素 硅(silicon)，在港台地区称矽。14号元素，IV，28，丰度25.7%，晶体硅在常压下为金刚石结构，熔点为1420℃，沸点2355 ℃ 。 1.1硅的分布 硅约占地壳总重量的25.7%，仅次于氧。自然界中以氧化物形式存在，一般以氧化物（SiO2，硅酸盐等）存在，极少游离态。其中最简单的是硅和氧的化合物硅石SiO2。石英、水晶等是纯硅石的变体。矿石和岩石中的硅氧化合物统称硅酸盐，较重要的有长石KAlSi3O8、高岭土Al2Si2O5(OH)4、滑石Mg3(Si4O10)(OH)2、云母KAl2(AlSi3O10)(OH)2、石棉H4Mg3Si2O9、钠沸石Na2(Al2Si3O10)·2H2O、石榴石Ca3Al2(SiO4)3、锆石英ZrSiO4和绿柱石Be3Al2Si6O18等。土壤、黏土和砂子是天然硅酸盐岩石风化后的产物。 1.2物理性质 有无定形硅和晶体硅两种同素异形体。晶体硅为灰黑色，金属光泽。溶点高，硬度大，质地脆。导电性为半导体。 族 ⅣA族 周期 3 元素分区 p区 常见化合价 +4 硬度 6.5 地壳含量 25.7% 密度 2.33g/cm(18℃) 熔点 1687K(1414℃) 沸点 3173K(2900℃) 1.3化学性质 硅在常温下其化学性质是稳定的，是具有灰色金属光泽的固体，不溶于单一的酸，易溶于某些混合酸和混合碱，在高温下很容易与氧等化学物质反应。单晶硅材料是目前世界上人工制备的晶格最完整、体积最大、纯度最高的晶体材料（直径为18英寸，纯度可达99.9999999）。 1.4晶体结构 硅原子的电子结构为1s22s22p63s23p2, 经过sp3杂化，硅原子形成4个等同的杂化轨道，有4个未配对的电子，所以杂化轨道的对称轴恰好指向正四面体的顶角。每个硅原子外层的4个未配对的电子，分别与相邻的硅原子的一个未配对的自旋方向相反的价电子组成共价键，共价键的键角是109°28′。 (111)面的面间距大，键密度最小，晶体硅最容易沿该面解理； (111)面为原子密排面，表面态密度大，腐蚀速率小； (100)面的间距最小，键密度最大； 和(100)面是非密排面，表面态密度小，腐蚀速率大，沿(110)和(100)面生长的晶体硅的晶片容易破碎。 1.5硅材料的半导体性质 Addition：优良半导体应具备的基本特性 （1）掺杂性：在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—这是半导体最显著、最突出的特性。 （2）热敏性：当环境温度升高一些时，半导体的导电能力就显著地增加；当环境温度下降一些时，半导体的导电能力就显著的下降—这种特性称为“热敏”。 （3）光敏性：当有光线照射在某些半导体时，这些半导体就像导体一样，导电能力很强；当没有光照射时，这些半导体就像绝缘体一样不导电，这种特性特性称为“光敏”。 Silicon: ① 电阻率特性 硅材料的电阻率在10-5-1010Ω·cm之间，介于导体和半导体之间，高纯未掺杂的无缺陷的晶体硅材料称为本征半导体，电阻率在106Ω·cm以上。可以通过掺杂改变硅材料的导电类型和电阻率，一