第2章电力电子器件--2012答题.ppt

*/89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的结构和工作原理 ◆IGBT的结构 ?是三端器件，具有栅极G、 集电极C和发射极E。 ?由N沟道VDMOSFET与双 极型晶体管组合而成的IGBT， 比VDMOSFET多一层P+注入 区，实现对漂移区电导率进行调 制，使得IGBT具有很强的通流 能力。 ?简化等效电路表明，IGBT 是用GTR与MOSFET组成的达 林顿结构，相当于一个由 MOSFET驱动的厚基区PNP晶 体管。 图2-23 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 RN为晶体管基区内的调制电阻。 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆IGBT的工作原理 ?IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种场 控器件。 ?其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的。 √当UGE为正且大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。 √当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，使得IGBT关断。 ?电导调制效应使得电阻RN减小，这样高耐压的IGBT也 具有很小的通态压降。 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的基本特性 ◆静态特性 ?转移特性 √描述的是集电极电流 IC与栅射电压UGE之间的 关系。 √开启电压UGE(th)是 IGBT能实现电导调制而 导通的最低栅射电压，随 温度升高而略有下降。 （a） 图2-24 IGBT的转移特性和输出特性 a) 转移特性 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ?输出特性（伏安特性） √描述的是以栅射电压为参考变量时，集电极电流IC与集射极间电压UCE之间的关系。 √分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。 √当UCE0时，IGBT为反向阻断工作状态。 √在电力电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而是在正向阻断区和饱和区之间来回转换。 (b) 图2-24 IGBT的转移特性和输出特性 b) 输出特性 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆动态特性 ?开通过程 √开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 电压下降时间tfv 开通时间ton= td(on)+tr+ tfv √tfv分为tfv1和tfv2两段。 ?关断过程 √关断延迟时间td(off) 电压上升时间trv 电流下降时间tfi 关断时间toff = td(off) +trv+tfi √tfi分为tfi1和tfi2两段 ?引入了少子储存现象，因而 IGBT的开关速度要低于电力 MOSFET。 图2-25 IGBT的开关过程 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的主要参数 ◆前面提到的各参数。 ◆最大集射极间电压UCES ?由器件内部的PNP晶体管所能承受的击穿电压所确定的。 ◆最大集电极电流 ?包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP。 ◆最大集电极功耗PCM ?在正常工作温度下允许的最大耗散功率。 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆IGBT的特性和参数特点可以总结如下： ?开关速度高，开关损耗小。 ?在相同电压和电流定额的情况下，IGBT的安 全工作区比GTR大，而且具有耐脉冲电流冲击的 能力。 ?通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较 大的区域。 ?输入阻抗高，其输入特性与电力MOSFET类 似。 ?与电力MOSFET和GTR相比，IGBT的耐压和 通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高 的特点。 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的擎住效应和安全工作区 ◆IGBT的擎住效应 在IGBT内部寄生着一个N-PN+晶体管和作为主开 关器件的P+N-P晶体管组成的寄生晶闸管。其中N