非平衡载流子绪论.pptVIP

单位时间单位体积被复合掉的非子为 ： 单位时间单位体 积积累的非子数 当： 上式为 在稳态时，积累的载流子应等于复合掉的载流子 通解为： 其中： ？ 稳态扩散方程 针对厚样品与薄样品可以近似求解…… 4．非平衡载流子的扩散电流密度 电子和空穴是带电粒子，它们扩散形成了 扩散电流。 空穴扩散电流密度: 电子扩散电流密度: (Jp)扩→ (Jn)扩← (Jp)漂→ (Jn)漂→ N-type 均匀半导体的电流： E (四种电流） 反方向 ？ §5.7 载流子的漂移运动 与爱因斯坦关系 一、扩散电流密度与漂移电流密度 1．少子空穴电流 （N型材料，在x方向加光照、电场 ） 非平衡少子扩散电流： +x方向 非平衡空穴和平衡空穴形成的漂移电流： +x方向 少子电流密度： 2．多子电子电流密度 非平衡多子形成的扩散电流： -x方向 平衡多子与非平衡多子的漂移电流： +x方向 ?多子电流密度： 3．总的电流密度 J=Jp+Jn 二、爱 因 斯 坦 关 系 考虑一块处于热平衡状态的非均匀的N型半导体，其中施主杂质浓度随x增加而下降，电子浓度为no(x)。扩散导致出现静电场。又使得载流子产生漂移。 扩散系数和迁移率的关系 电子扩散电流密度： 漂移电流： 平衡时，不存在宏观电流，电场方向是反抗扩散电流，电子的总电流等于0 Jn=(Jn)漂+(Jn)扩=0 考虑附加的静电势，导带底的能量应为: Ec-qV(x) 非简并时的 电子浓度为： ∴ 前面得到 对于空穴： 室温时：KT=0.026eV Si中：?n=1350cm2/vs ∴ 利用爱因斯坦关系，可得总电流密度： 对非均匀半导体，平衡载流子浓度也随x变化，扩 散电流由载流子的总浓度梯度决定，上式为： 1．在漂移运动和扩散运动同时存在时，少子电流连续性方程的一般形式: 影响载流子p(x,t)和n(x,t)因素主要有： ● 由于电流的流通（载流子的扩散 和漂移运动），从而使体内的载流子? 。 ● 由于载流子复合使非子浓度?。 ● 由于内部有其它产生，使载流子?。 §5.7 连 续 性 方 程 以N型半导体为例: (1) 少子流通 x x x+△x 取一小体积元dV，横截面为单位面积 假设流进dV多，每秒钟净留在dV中的 空穴数为： Sp(x)→ →Sp(x+△x) 扩散流密度 在单位时间中净留在单位体积中的空穴数为： 电场也变化 (2) 其它因素的产生率gp (3) 复合率： 少子浓度随时间的变化规律（连续方程）： 同样，对于P型材料，少子连续方程： 第五章作业： 1、简述半导体中非平衡载流子几种主要的复合方式。 2、解释半导体中陷阱及陷阱中心的概念。 The End 二、非子的直接复合 1．复合率和产生率 (1) 复合率： 单位时间、单位体积中被复合的载流子对（电子—空穴对），量纲为：对(个)/s·cm3 用R(restore)表示 R?np R=rnp r：比例系数，它表示单位时间一个电子 与一个空穴相遇的几率，通常称为复合系数 或复合概率 和速度相关的统计量 当n=n0，p=p0时， rn0p0=热平衡态时单位时间、单位体积被复合掉的电子、空穴对数 对直接复合，用Rd表示复合率 Rd=rdnp—非平衡 Rd=rdn0p0—热平衡 rd 为直接复合的复合系数 ，是温度的函数，和n和p无关。 单位时间、单位体积中产生的载流子，用G表示 在非简并条件下，激发概率不受载流子浓度 n和 p的影响，所以，产生率基本相同，仅仅是温度 的函数，和n、p无关。 （n=n0, p=p0 ) G 非平衡态下的产生率 ‖ 热平衡态下的产生率 ‖ 热平衡态下的复合率 即 即 （产生率G仅仅是温度的函数，和n、p无关） 非子寿命 ud 讨论： （1）、 小信号 电导率高 寿命短 ∴ （2）、大信号 本征半导体： 只与非 子有关 不是常数 一般讲，带隙小直接复合的概率大寿命短 半导体杂质和缺陷在禁带中的能级，不仅影响导 电特性，同时会对非子的寿命也有很大影响。 一般讲，杂质和缺陷越多，寿命越短，即它们有 促进非子复合的作用。这些促进复合的杂质和缺 陷称为复合中心。 间接复合是指非子通过复合中心的复合 Ec Ev Et ? (一) (二) 但上述两个逆过程也存在，间接复合也是个统计性的过程 电子由Ec→Et ? ? (甲) (乙) (丙) (丁) 电子俘获 电子发射 空穴俘获 空穴发射 电子俘获率： 电子产生率： 空穴俘获率： 空穴发射率：