电子与电路第4章绪论.ppt

3. 场效应管与晶体管的比较 导电方式 场效应管：只有一种载流子参与导电。 三极管：两种载流子参与导电。 控制方式 场效应管: uGS 控制iD?电压控制元件。 三极管：iB 控制iC?电流控制元件。 输入电阻 场效应管: RGS 很大，109以上。 三极管： Ri 很小。 温度稳定性 场效应管：依靠多子导电（JFET），稳定性好。 三极管：存在少子导电，稳定性差。 管脚互换 场效应管: s与d可以互换。 三极管： c与e互换?倒置工作状态。 FET可作压控电阻。 3. 场效应管与晶体管的比较 * * * * * * * * * * * * * * * * ③ 集电极最大允许电流ICM 集电极电流如果超过ICM，晶体管的放大性能就要下降甚至可能损坏。 PCM、U(BR)CEO和ICM三个极限参数，决定了晶体管的安全工作区。 ⑷ 频率参数 用来评价晶体管高频放大性能的参数。 ① 共发射极截止频率 晶体管共射短路电流放大系数 随信号频率升高而下降，如图所示。 下降到低频时的0.707倍时f 的值 β f fT 104 105 106 107 108 10 100 1000 1 β0 0.707β0 fβ β的频率特性 ② 特征频率fT 下降到等于1时的频率称为特征频率fT。 通常高频晶体管都用fT来表征它的高频放大特性。 当频率 后，有以下近似关系： β f fT 104 105 106 107 108 10 100 1000 1 β0 0.707β0 fβ β的频率特性 5.温度对晶体管参数的影响 主要考虑温度对下述三个参数的影响： 共射短路电流放大系数 基射极间正向电压uBE 集电结反向饱和电流ICBO。 ① 温度对ICBO的影响 ICBO是少数载流子形成的电流 温度每升高10℃，ICBO增加约一倍。公式为： 通常手册上给出的ICBO是温度为25℃时的值，如果实际工作温度高于25℃，则应用上式算出实际值。 ② 温度对 的影响 温度升高时 随之增大。一般的，温度每升高1℃， 增加约(0.5~1)%，即 称为 的温度系数。 晶体管的曲线随温度升高间距增大。 uCE(V) iC(mA) 0 5 10 15 1 2 3 0 20 40 iB =60μA 输出特性 0 20 40 iB =60μA 25℃ 100℃ ② 温度对 的影响 ③温度对基-射电压uBE的影响 温度升高时，对于同样的发射极电流，晶体管所需的基-射电压uBE减小。 图中给出低频小功率锗管在iE为恒定值时，uBE与温度的关系曲线。 温度每升高l℃，|uBE|大约减小2mV。 无论硅管或锗管，uBE受温度的影响基本相同 iB(uA) uBE(V) 0.3 0.6 0.9 4 0 uCE=2V 输入特性 25℃ 150℃ 1 2 3 ③温度对基-射电压uBE的影响 4.4 场效应管 场效应管是由一种载流子参与导电的半导体器件 是用输入电压控制输出电流的的半导体器件。 按结构来划分，它有两大类。 结型场效应三极管JFET (Junction type Field Effect Transister) 绝缘栅型场效应三极管IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transister) IGFET也称金属氧化物半导体三极管MOSFET （Metal Oxide Semiconductor FET） 1. 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管MOSFET分为 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 ⑴ N沟道增强型MOSFET 结构和工作原理 ①结构 N沟道增强型MOSFET结构示意图和符号图 d(Drain)为漏极，相当c g(Gate)为栅极，相当b s(Source)为源极，相当e 绝缘栅型场效应管是利用电场效应