东华大学模拟电子技术——第四章场效应管放大电路20140211绪论.ppt

多级放大电路分析 六、多级放大器件电路组成及分析 两级放大电路如图所示，已知三极管的 场效应管的 ，写出两级放大电路的组态，并求出 输入电阻、输出电阻及电压放大倍数 解：此为共源-共集放大电路 例1： 多级放大电路分析 六、多级放大器件电路组成及分析 例2： 图示电路的静态工作点合适，画出它的交流等效电路， 并写出 、Ri和Ro的表达式。 多级放大电路分析 六、多级放大器件电路组成及分析 例2： 图示电路的静态工作点合适，画出它的交流等效电路， 并写出 、Ri和Ro的表达式。 解：此为共源-共射放大电路，交流等效电路如图： 东华大学电路电子中心 E.E.CENTER DHU 东华大学电路电子中心 E.E.CENTER DHU 模拟电子技术基础 第4章 场效应管放大电路基础 第4章 场效应管放大电路基础 1、结型场效应管（JFET） 2、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 3、场效应管静态工作点的设置方法 4、场效应管放大电路的动态分析 5、复合管 6、多级放大器件电路组成及分析 (JFET)的结构和工作原理 一、结型场效应管（JFET） 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），分别与晶体管的e、b、c相对应；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，分别对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 1.结构和符号 导电沟道 源极 栅极 漏极 符号 结构示意图 (JFET)的结构和工作原理 一、结型场效应管（JFET） 2.工作原理 a、栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 沟道最宽 沟道变窄 沟道消失称为夹断 UGS（off） 用 uGS控制导电沟道的宽度，栅极-源极之间的PN结必须反向偏置。 (JFET)的结构和工作原理 一、结型场效应管（JFET） 2.工作原理 b、漏-源电压对漏极电流的影响 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） uGDUGS（off） 恒流区，沟道电阻增大，iD几乎不变，仅取决uGS。 uGDUGS（off） (JFET)的特性曲线 一、结型场效应管（JFET） 1.转移特性 夹断电压 漏极饱和电流 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。 用转移特性描述栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用。 在恒流区时： (JFET)的特性曲线 一、结型场效应管（JFET） 2.输出特性 g-s电压控制d-s的等效电阻 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅取决于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： 绝缘栅型MOSFET工作原理 二、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 1.增强型管 uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 SiO2绝缘层 衬底 耗尽层 空穴 高掺杂 反型层 大到一定值才开启 绝缘栅型MOSFET工作原理 1.增强型管 iD随uDS的增大而增大，可变电阻区。 uGD＝UGS（th），预夹断。 iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区。 预夹断 uDS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 N型导电沟道 二、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 绝缘栅型MOSFET工作原理 2.耗尽型管 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道。 二、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 绝缘栅型MOSFET特性曲线 1.增强型管 二、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 转移特性 开启电压 输出特性 在恒流区： 绝缘栅型MOSFET特性曲线 2.耗尽型管 二、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 转移特性 夹断电压 输出特性 场效应管的分类 二、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 场效应管的主要参数 二、金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 1、直流参数 1) 夹断电压VP (或VGS(off))： 漏极电流约为零时的VGS值 。 3) 饱和漏极电流IDSS： VGS=0时对应的漏极电流。 2) 开启电压VT：增强型场效应管有微小漏极电流 时的VGS值。 4) 直流输入电阻RGS： 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。