第16讲第5章存储器原理与接口技术重点.ppt

第5章 存储器原理及接口技术 * 5.3.5 电子可擦除可编程ROM—E2PROM 应用特性： （1）对硬件电路没有特殊要求，编程简单。 （2）采用＋5V电源擦写的E2PROM，通常不需要设置单独的擦除操作，可在写入过程中自动擦除。 （3）E2PROM器件大多是并行总线传输的 第5章 存储器原理及接口技术 * 常用的E2PROM芯片 型号 参数 2816 2816A 2817 2817A 2864A 取数时间/ns 250 200?250 250 200?250 250 读电压VPP/V 5 5 5 5 5 写/擦电压VPP/V 21 5 21 5 5 字节擦写时间/ms 10 9~15 10 10 10 写入时间/ms 10 9~15 10 10 10 封装 DIP24 DIP24 DIP28 DIP28 DIP28 第5章 存储器原理及接口技术 * 5.3.6 快擦型存储器(F1ash Memory)-闪存 Flash Memory快擦型存储器： 是不用电池供电的、高速耐用的非易失性半导体存储器。结构与EPROM 相同。 其特点是： 可以整体电擦除（时间1S）和按字节重新高速编程。 是完全非易失性的，可以完全代替E2RPOM。 能进行高速编程。 如: 28F256芯片，每个字节编程需100μs， 整个芯片0.5s； 最少可以擦写一万次，通常可达到10万次； CMOS 低功耗，最大工作电流30mA。 与E2PROM进行比较具有容量大、价格低、可靠性高等明显优势。 快擦型存储器还可应用于激光打印机、条形码阅读器、各种仪器设备以及计算机的外部设备中。 典型的芯片有27F256/28F016/28F020等。 第5章 存储器原理及接口技术 * 特点： 固有的非易失性  它不同于静态RAM，不需要备用电池来确保数据存留，也不需要磁盘作为动态RAM的后备存储器。 (2) 经济的高密度 Intel的1M位闪速存储器的成本按每位计要比静态RAM低一半以上。闪速存储器的成本仅比容量相同的动态RAM稍高，但却节省了辅助（磁盘）存储器的额外费用和空间。 第5章 存储器原理及接口技术 * 特点： (3) 可直接执行  由于省去了从磁盘到RAM的加载步骤，查询或等待时间仅决定于闪速存储器，用户可充分享受程序和文件的高速存取以及系统的迅速启动。 (4) 固态性能  闪速存储器是一种低功耗、高密度且没有移动部分的半导体技术。便携式计算机不再需要消耗电池以维持磁盘驱动器运行，或由于磁盘组件而额外增加体积和重量。用户不必再担心工作条件变坏时磁盘会发生故障。 第5章 存储器原理及接口技术 * 掩膜ROM 内容只能读出，不能改变. 半导体厂家用掩膜技术写入程序 成本低， 适用于批量生产 不适用研究工作 PROM可编程ROM 内容只能读出，不能改变. 用户使用特殊方法进行编程，只 能写一次，一次编程不能修改。 适用于批量生产 不适用研究工作 EPROM光可擦除PROM 固化程序用紫外线光照5～ 15分钟擦除， 擦除后可以重新固化新的程 序和数据。 用户可以对芯片进行多次编程 和擦除。 适用于研究工作 不适用于批量生 产。 E2PROM电可擦除 PROM 实现全片和字节擦写改写， 作为非易失性 RAM使用。 集成度和速度不及EPROM， 价格高， 擦写在原系统中在线进行。 Flash Memory 快速电擦写存储器 可以整体电擦除（时间1S） 和按字节重新高速编程。 CMOS 低功耗； 编程快（每个字节编程100μs 整个芯片0. 5s）； 擦写次数多（通常可达到10万） 与E2PROM比较：容量大、价格 低、可靠性高等优势。 用于PC机内装操作系统和系统不能丢失初始功能的专门领域。需要周期性地修改被存储的数据表的场合。 分类 信息存取方式 特点 用途 只读存储器ROM分类 小结 第5章 存储器原理及接口技术 * TIPS: 延伸学习内容 串行存储器—基于IIC总