第三章扩散-微电子学院微电子实验教学中心-西安电子科技大学.ppt

第三章 扩 散 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 概述 关于掺杂 目的:改变半导体的电特性 定义:将所需的杂质，以一定的方式掺入到半导体基 片规定的区域内，并达到规定的数量和符合要 求的分布。 应用:制作①PN结②IC中的电阻③欧姆接触区 ④硅栅⑤互连线 方法:①（热）扩散②离子注入③合金 半导体制造常用杂质 具有掺杂区的双井CMOS结构 CMOS 制作中的一般掺杂工艺 扩散 定义：将掺杂气体导入放有硅片的高温炉中，从而达 到将杂质扩散到硅片内的目的。 方法： 按掺杂源的形态分类： ①固体源扩散： BN；开管扩散、箱法扩散、涂源法扩散； ②液态源扩散： POCl3 ③气态源扩散： PH3，BH3 按扩散形式来分类（杂质源→硅片）: ①气相→固相扩散（三种源都可用） ②固相→固相扩散 ③液相→固相扩散 按杂质扩散进入硅片后的分布