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不同器件噪声对比 1、JFET的噪声主要来源于沟道电阻热噪声; 2、MOSFET的1/f 噪声较严重,低频时MOSFET比JFET的噪声大; 3、一般,FET的噪声比BJT小; 4、碳膜电阻的1/f 噪声最大,绕线电阻的1/f 噪声最小; 成运放的噪声,是由组成运放内部电路的元器件产生的噪声源以及内部电路连接的噪声源累计的结果。一般是通过实验方法进行测量。 一、 放大电路中的噪声 2. 放大电路的噪声指标 (1)等效输入噪声电压/电流密度 (2)输出端信噪比 (3)噪声系数 2. 放大电路的噪声指标 定义 其中 AP 为功率增益 放大电路不仅把输入端的噪声进行放大,而且放大电路本身也存在噪声。所以,其输出端的信噪比必然小于输入端信噪比。 (3)噪声系数 一个无噪声放大电路的噪声系数是0dB,一个低噪声放大电路的噪声系数应小于3dB。 因为 当满足 Ri=Ro 时,NF可表示为另一种形式: 当NF用分贝(dB)表示时 3. 减小噪声的措施 硬件 选低噪声集成运放,如OP-27,AD745等; 采用滤波处理或引入负反馈以抑制噪声; 软件 转换为数字信号后,借助软件方法,对数据进行处理以减小噪声的影响。 二、放大电路中的干扰 3. 杂散电磁场干扰和抑制措施 1. 由直流电源电压波动引起的干扰和抑制 2. 由交流电源串入的干扰和抑制 4. 由接地点安排不正确而引起的干扰和正确接地 1. 由直流电源电压波动引起的干扰和抑制 纹波电压使电路的电流产生波动而形成干扰电压。第一级的波动将被后续各级放大而使输出端产生较大的干扰电压。 抑制措施: 采用性能好的稳压电源供电,并在稳压电路的输入端和输出端分别加一足够大的电解电容或钽电容的滤波电路。 对于运算放大器,可在电源引脚和地端间加一钽电容(10μF~30μF)防止低频干扰,加一独石电容(0.01μF~0.1μF)防止高频干扰。 end 2. 由交流电源串入的干扰和抑制 负载突变引起,构成对放大电路的高频干扰,影响较大! 抑制措施: 稳压电源中的变压器一次侧和二次侧加屏蔽层且很好接地; 进线处加滤波电路,过滤干扰信号; “浮地”,交、直流地线分开; 3. 杂散电磁场干扰和抑制措施 电路工作环境一般有许多电磁干扰源,常见的有工频干扰、无线电台及雷电现象等,它们所产生电磁波或尖峰脉冲,通过接线电容耦合、电感耦合或交流电源线等进入放大电路,从而引入干扰电压。 抑制措施: 合理布局 屏蔽(静电屏蔽和磁场屏蔽) C 单端输入 等效于双端输入 指标计算与双端输入相同。 (1)差模电压增益 共模信号的输入使两管集电极电压有相同的变化。 所以 共模增益 (2)共模电压增益 A 双入,双出 抑制零漂能力增强 (2)共模电压增益 B 双入,单出 (3)共模抑制比 双端输出,理想情况 单端输出 共模抑制能力越强 单端输出时的总输出电压 (4)频率响应 高频响应与共射电路相同,低频可放大直流信号。 例 解: 求(1)静态工作点; (2)双入、双出的差模电压增益,输入电阻,输出电阻 (2)双入、双出的差模电压增益,输入电阻,输出电阻 3. 带有源负载的射极耦合差分式放大电路 静态 IE6 ? IREF IO = IE5 1. CMOS差分式放大电路 三、 源极耦合差分式放大电路 6.3 差分式放大电路的传输特性 根据 又 vO1=VCC-iC1Rc1 vO2=VCC-iC2Rc2 可得传输特性曲线 vO1,vO2=f(vid) 输出信号随输入信号变化的曲线称为传输特性曲线 ic1,ic2=f(vid) vO1,vO2=f(vid)的传输特性曲线 6.4 集成电路运算放大器 一、 CMOS MC14573集成电路运算放大器 二、 BJTLM741集成运算放大器 一、 CMOS MC14573 集成电路运算放大器 1. 电路结构和工作原理 2. 电路技术指标的分析计算 (1)直流分析 已知VT 和KP5 ,可求出IREF 二、BJTLM741集成运算放大器 原理电路 6.5 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电路的影响 一、实际集成运放的主要参数 二、集成运放应用中的实际问题 一、 实际集成运放的主要参数 1、输入直流误差特性(输入失调特性) 2、差模特性 3、共模特性 三类: 1、输入直流误差特性(输入失调特性) (1) 输入失调电压VIO 在室温(25℃)及标准电源电压下,输入电压为零时,为了使集成运放的输出电压为零,在输入端加的补偿电压叫做失调电压VIO。一般约为±(1~10)mV。超低失调运放为(1~20)?V。高精度运放OP-117 VI
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