正性电子束抗蚀剂ZEP520低能电子束曝光研究.pdfVIP

2005年12月 第十三届套目电子束·离子束·光子束学术年套 湖南·长沙 正性电子束抗蚀剂ZEP一520低能电子束曝光研究 杨海方金爱子罗强顾长志 (中国科学院物理研究所微加工实验室，北京，100080) 究。利用180 nnl厚的ZEP一520抗蚀剂，研究了低能范围电子穿透深度及曝光特性与电子束能量的 关系。发现加速电压在5—20kev之间，ZEP-520抗蚀剂的对比度随加速电压的增加基本保持不变，临 界曝光计量∞曲与加速电压成线性关系。同时，研究了不同加速电压对180hm厚的ZEP-520抗蚀剂 的加工能力，在10keV一20key加速电压下得到了线宽小于30hm，周期为80hm的光栅结构。 关键词：ZEP-520抗蚀剂；电子束曝光；对比度 1、引言 PMMA，储存寿命长。该抗蚀剂的缺点是与基片的附着力较差，由于较差的吸附性，一般在基片与ZEP 抗蚀剂之间涂覆一层增黏剂(HMDs)，增加抗蚀剂与基片的吸附力。由于ZEP一520高的灵敏度、高的分 辨率及高的抗刻蚀性，人们对该抗蚀剂的曝光特性进行了一些研究，但大部分的研究主要集中在高加 为10am的图形结构11-21。 。 但对于低加速电压曝光特性研究的较少，缺乏对低加速电压区系统的研究，只是Tanenbaum等人 脚对加速电压为1key的情况进行了研究，在50hm厚的ZEP-520上，获得了50hm的分辨率。 nm 本文主要对低加速电压下ZEP-520抗蚀剂的曝光特性进行了较系统研究，利用厚度为180 的抗蚀荆研究了低能电子束在ZEP一520抗蚀剂中穿透深度与电子束能量的关系。系统的研究了 30hm图形的曝光。 2、实验 采用旋涂的方法，在Si衬底上先涂覆一层HMDS以增强抗蚀剂与衬底的附着力，HMDS的涂覆 nm．前烘采 rpm匀胶60秒，最后得到抗蚀剂厚度约为180 采用低速500wm摊胶5秒，再高速4000 下的曝光研究。Raithl50曝光系统的加速电压范围为0．2—30key，从而为我们进行低能电子束曝光研 究提供了可能。该曝光机采用z巾／w场发射电子枪，最小柬斑直径约为2nm，极限曝光分辨率约为 一135— 2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年会 湖南·长沙 5—20kev下ZEP-520抗蚀剂的曝光特性及低加速电压下电子穿透深度与电子束能量的关系。曝光 气将其吹干。 对比度及低加速电压下电子穿透深度与电子束能量的关系测试主要采用不同剂量对100～lOOpm 的方块进行曝光，显影后采用纵向分辨率为lA的台阶仪(DEKTAK8)对曝光后方块抗蚀剂膜的厚度进 行测量，从而得到不同加速电压下ZEP-520抗蚀剂的对比度曲线、临界曝光剂量(D一曲及低能电子的穿 透深度。在抗蚀剂曝光研究中，人们对周期性结构的曝光能力及分辨率关注的较多，即所能实现图形 的密度及线宽，因此捷们在这里主要研究了光栅结构的曝光情况，得出不同加速电压下，厚度为180 自带的分辨率为2nm的sEM上进行。另外，对于方块的曝光采用面曝光模式，曝光剂量单位为¨C／ cm2，而对于光栅结构采用单像素线曝光模式，曝光的剂量单位为pC／em。 3、结果与讨论 图l给出了加速电压为1、5、lO、15、20 key曝光条件下厚度为180nrfl的ZEP一520 抗蚀剂对比度曲线。其中横坐标为曝光计 量，t。为涂覆后抗蚀剂膜厚度，t为显影后残 留抗蚀剂膜厚度。各加速电压下抗蚀剂膜开 始去除的起始曝光计量lYo及抗蚀剂膜全部 被去除的临界曝光剂量Dm由图l所示方 法获得。对于加速电压为lkeV的情况，由图 1我们得到lkev的电子束能量不足以穿透 180 11111厚的抗蚀剂，也就是说电子的穿透