本习题缺热电学.docVIP

材料物理性能习题 光学 太阳能电池中的增透膜： 当光照射到半导体表面时，光被部分反射。在太阳能电池中，进入半导体器件中的透射光能量被转换为电能。所以被部分反射的光是需要重点考虑的因素。波长700-800nm附近的硅的折射率约为3.5， （a）求对于n1(空气）=1和n2(Si)=3.5的反射系数。 （b） 查资料寻找用于降低在硅和空气之间的反射率的增透膜材料和使用了增透膜之后的反射率. 有一光钎的钎芯和包层的折射率分别为n1和n2，n1和n2分别是1.455和1.440，求能够在光钎中传播的入射光与钎轴向的夹角最大是多少？ 查出一种通讯用光纤的以下资料: 钎芯和包层的折射率;目前传导的光的波长是多少?光纤传导的速度,制备光纤的材料,造成光纤传导衰减的原因. 3.Gallium arsenide (GaAs) and gallium phosphide (GaP) are compound semiconductors that have room-temperature band gap energies of 1.42 and 2.25 eV, respectively, and form solid solutions in all proportions. Furthermore, the band gap of the alloy increases approximately linearly with GaP additions (in mol%). Alloys of these two materials are used for light-emitting diodes wherein light is generated by conduction-band-to-valence-band electron transitions. Determine the composition of a GaAs–GaP alloy that will emit orange light having a wavelength of 0.60μm. 4.查资料说明用异质结来增加LED器件输出光强度的原理. 电介质 非晶态硒是一种高电阻率的半导体，其密度约为4.3g/cm-3，原子序数为34，相对原子量为78.96，其在1kHz下的相对介电常数为6.7。计算施加在每个原子上的局部电场Eloc。局部场大还是外加磁场大,为什么? 2．晶体中每个晶胞中含有一对离子，已知晶体的晶格常数为，Cs+离子和Br-离子的电子极化率分别为和， 离子对的平均离子极化率为。求在低频和光频下的介电常数各是多少？低频和光频下的介电常数相同吗？为什么？ 3. (a) For each of the three types of polarization, briefly describe the mechanism by which dipoles are induced and/or oriented by the action of an applied electric field. (b) For solid lead titanate (PbTiO3), gaseous neon, diamond, solid KCl, and liquid NH3, what kind(s) of polarization is (are) possible? Why? 提示:s=10, (∞=2, (=10-10s，请分别画出(’、(’’以及tanδ随lgω变化曲线，在曲线上标出tanδ和(’’峰值的位置， (’’ max等于多少？ 磁学 1. 计算稀土Nd（钕）金属和金属Co的原子磁矩。 2. 计算CoFe2O4铁氧体的分子磁矩，其结构式为：:(Fe3+)[Co2+Fe3+]O4 3. 计算孤立Fe原子的原子磁矩。然后用实验测出的金属Fe的饱和磁极化强度J=2.2T（磁极化强度J和磁饱和磁化强度M的关系为：J=(0M），计算其原子磁矩实验值（Fe为BCC类型结构的晶体，晶格常数为2.86埃）。 比较二者，并从本章有关材料的原子磁矩的知识说明两者不同的原因。注：饱和磁极化强度近似等于在0K时的自发磁极化强度 4. Briefly explain why the magnitude of the saturation magnetization decreases with increasing temperature for ferromagnetic materials, and why ferromagnetic behavior ceases above the Curie temperat