第5章MOS反相器-MOS晶体管分析.pptVIP

西安理工大学 微电子学硕士课程 MOS晶体管 速度饱和效应 Short Channel I-V Plot (NMOS) 速度饱和效应 速度饱和 MOS ID-VGS Characteristics 决定电流的主要因素 当 VDS 和VGS ( VT) 固定时,IDS 是 以下参数的函数 沟道长： L 沟道宽 – W 阈值电压 – VT SiO2厚度 – tox 栅极氧化膜的介电常数 (SiO2) – ?ox 载流子迁移率 N型材料: ?n = 500 cm2/V-sec P型材料: ?p = 180 cm2/V-sec Subthreshold Conductance（亚阈值特性） 导通电阻是一个非线性电阻，与器件的工作状态有关,平均电阻一般取0.75R0 在非饱和区，导通电阻近似为线性电阻 即Ron=1/gm 导通电阻反比于（W/L)，W每增加一倍，电阻减小一半 MOS管的电流解析方程（L〉1mm) 工艺参数 ID (0VDSVGS-VTH) (0 VGS-VTH VDS) 沟道长度调制系数 VTH 阈值电压 源极(S) 漏极(D) 栅极(G) VG VD ID nMOS晶体管的I-V特性 VTH ID VG 增强型（E) VTH ID VG 耗尽型(D) NMOS晶体管的I/V特性-2（转移特性） VTH VTH ID VG ID VG 增强型（E) 耗尽型(D) NMOS的ID-VG特性(转移特性） VGS=0 阈值电压的定义 饱和区外插VTH 在晶体管的漏源极加上接近电源VDD的电压，画出VGS-IDS的关系曲线，找出该曲线的最大斜率，此斜率与X轴的交点定义为阈值电压。 以漏电流为依据定义VTH 在晶体管的漏源极加上接近电源VDD的电压，画出VGS-Log(IDS)的关系曲线，从该曲线中找出电流为1微安时所对应的VGS定义为阈值电压。 MOS晶体管 MOS管的跨导gm（饱和区） 表征电压转换电流的能力 衬底偏压效应 通常衬底偏压VBS=0, 即NMOS的衬底和源都接地， PMOS衬底和源都接电源。 衬底偏压VBS0时，阈值电压增大。 MOS晶体管 VBS(V) MOS管短沟道效应 IDS 正比于 W/L, L要尽可能小 当沟道长度变短到可以与源漏的耗尽层宽度相比拟时，发生短沟道效应。 栅下耗尽区电荷不再完全受栅控制，其中有一部分受源、漏控制，并且随着沟道长度的减小，受栅控制的耗尽区电荷不断减少，因此，只需要较少的栅电荷就可以达到反型，使阈值电压降低 MOS晶体管 耗尽层 耗尽层 Gate可控制的区域 沟道长度 阈值电压 短沟道MOSFET Gate可控制的区域 长沟道MOSFET “漏致势垒降低”(Drain-Induced Barrier Lowering, DIBL) 载流子的饱和速度引起的 Early Saturation 微小MOS晶体管 沟道长小于1微米时，NMOS饱和 NMOS和PMOS的饱和速度基本相同 PMOS不显著 饱和早期开始 ?(V/?m) ?n (m/s) ?sat =105 Constant velocity Constant mobility (slope = ?) ?c= 引起速度饱和效应的主要原因 速度饱和 – 散射引起载流子的速度饱和 (大电场作用下载流子碰撞) 5 Long Channel I-V Plot (NMOS) ID (A) VDS (V) X 10-4 VGS = 1.0V VGS = 1.5V VGS = 2.0V VGS = 2.5V Linear Saturation VDS = VGS - VT Quadratic dependence NMOS transistor, 0.25um, Ld = 10um, W/L = 1.5, VDD = 2.5V, VT = 0.4V cut-off ID (A) VDS (V) X 10-4 VGS = 1.0V VGS = 1.5V VGS = 2.0V VGS = 2.5V Linear dependence NMOS transistor, 0.25um, Ld = 0.25um, W/L = 1.5, VDD = 2.5V, VT = 0.4V Early Velocity Saturation Linear Saturation 速度饱和效应导致驱动能力的降低 Long channel devices Short channel devices VDSAT VGS-VT VDSAT VGS – VT 晶体管进入早