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低温共烧多层陶瓷电路设计规范
术语说明
后烧表面电阻 交错通孔 顶层
内埋电阻
内埋电容
内埋孔 内导带 导热孔
堆积孔
通孔间距 通孔直径 底层
材料系统
●目前生产线上使用的LTCC材料组要有DuPont 951、Ferro –A6M、HL2000、DP9K7。
●用于高频电路的低损耗微波LTCC介质带材料:Ferro –A6 、DP9K7。
导体材料根据客户需要采用全金系统和混合系统(外层是可以焊接的Pd/Ag、PtPdAu、PtAu等导体及可丝焊的金导体,内层是Ag导体)。
LTCC生瓷带介质材料特性见表1
表1、生瓷带介质材料数据
性质 DP951 DP9K7 Ferro –A6S/M 厚度1)
(烧结前) 951 C2 50 um
951PX 254um 254um 127 um、187 um 烧结收缩率
(X、Y) 12.7±0.3% 9.1±0.3% 15.5±0.3% 烧结收缩率
(Z) 15±0.5% 11.8±0.5% 25±0.3% 介电常数 7.8(10MHz) 7.1(15G) 5.9(10MHz) 介质损耗 0.2%(10MHz) 0.0010 0.15%(10MHz) 绝缘电阻 >1012Ω(100VDC) 1012Ω(100VDC) >1014Ω(100VDC) 热导率 3W/mk 4.6W/mk 2W/mk 热胀系数 5.8ppm/K 4.4ppm/K 7.8ppm/K 烧结密度 3.1g/㎝2 3.1g/㎝2 2.5g/㎝2 抗折强度 320MPa 230 MPa 130MPa
表2、导体材料性能
导体特性 陶瓷材料系统
Du Pont 951/9K7 陶瓷材料系统
Ferro A6 S/M 导体类型
内层 Ag, Au
外层Ag, Au, PdAg ,PtAu、PtPdAu 内层 Ag, Au
外层Ag, Au, PdAg, PtAu、PtPdAu 顶层导体膜厚(μm)
10 ± 3 10 ± 3 内层导体膜厚(μm) 7 to 15 ± 2 7 to 15 ± 2 电阻 mΩ?/ 顶层(10 μm)
Au 4
Ag 3
AgPd 30
PtPdAu40 Au 4
Ag 3
AgPd 30
PtPdAu40 电阻 mΩ?/ 内层 Au 4
Ag 3 Au 4
Ag 3 顶层导体粗糙度 (Rq μm RMS) (后烧) Au: 0.8
Ag: 0.9
通孔
通孔尺寸
通孔尺寸为:
通孔尺寸 1 2 3 4 5 烧结前 100 um 150 um 200um 250um 300um 烧结后 87um 130 um 185um 220um 260um
通孔尺寸推荐与生瓷带厚度接近,推荐在各层中使用一种通孔尺寸,两种通孔尺寸在不同层中也是容许的。
通孔覆盖区
连接直径小于250um通孔的导带,应有一个圆形或方形通孔覆盖区,通常是:直径比通孔直径大50um,最优100um。后烧结表面导体通孔覆盖区直径要求≧400um。
通孔间距
最小通孔节距(中心距),同一层内应为2.5×通孔直径,两层间交错通孔错位为2×通孔直径,最小通孔中心距基板边沿距离应为3×通孔直径。
2.5×φvia 2×φvia 3×φvia
导体
F
E
C B A D
G
H
线宽、线间距
项目 标准 高密度 通孔覆盖区直径E(um) 250 100 导体间距B(um) 150 75 导体线宽A(um) 150 75 线到基板边缘距离D(um) 300 200 SMD焊区到导带距离(um) 200 100 SMD焊区到基板边缘距离H(um) 500 300
电阻
电阻可制作下列方阻
表面电阻
方阻 温度系数 稳定性 精度 10Ω <±200ppm <0.5% <±1 % 100 <±100ppm <0.5% <±1 % 1K <±100ppm <0.5% <±1 % 10K <±100ppm <0.5% <±1 % 100K <±100p
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