热暴露对SiCfTi6Al4V复合材料界面反应的影响.pdf

热暴露对SiCf／Ti6A14V复合材料界面反应的影响 杨延清，马志军，吕祥鸿，黄斌，李健康，陈彦 (西北工业大学材料学院，西安，710072) 摘要：采用扫描电镜，透射电镜和x射线衍射分析了国产SiC纤维增强Ti6A14V复合材料的界面反 反应层的加厚受元素扩散所控制，服从抛物线定律．求得的加厚动力学参数p为268．8KJ／mol。丘为 0．0057m／sln． 关键词：SiC纤维，Ti6A14V，复合材料，界面反应 1引言 SiC纤维增强Ti基复合材料(SiG／Ti)的比强度和比刚度高、使用温度高、疲劳和蠕变性能好， 可以很好的满足飞机发动机部件的要求，使部件结构简化，具有明显的减重效果，有广阔的应用前 景Ⅲ。钛的化学性质活泼，SiC，／Ti在高温制各与服役过程中，纤维／基体之间会不可避免的发生元素 扩散和界面化学反应，使SiCf／Ti的力学性能受到严重影响曙’31。已有对界面反应的研究工作均是针 对美国的SCS-6 应的研究很少见到。本文采用扫描电镜和透射电镜对国产SiCt／Ti6A14V复合材料的界面反应进行了 观察研究。 2实验 的W丝，纤维的最外层带有一定厚度的C涂层。界面反应分析采用的扫描电镜(SEM)为日本电子JSM X’Pert 所用仪器为PanalyticalPro。透射电镜(TEM)为HITACHH-800，透射电镜试样的最终减薄 691。 采用美国Gatan公司生产的精密离子减薄仪Model 3结果和分析 图l为SiCfri6A14V复合材料的宏观形貌，可见SiC纤 维与钛合金基体复合良好。从图2可见，制备状态的复合 材料，在其纤维，基体界面处己形成一层反应产物，能谱仪 线分析表明，界面反应区的主要元素为豇和C。C的含量 at％。根据Ti-C相酣Ⅻ， 为53—25at％，Ti的含量在37—68 10000C时TiC的成份范围约在35—50at％，因而界面反应 产物可能是mC。 为了证实上述结果，对制各状态的SiClri6A14V复 图l 合材料进行了透射电镜分析。图3为SiCdTi6A14V复合材 料界面附近的微观组织形态，图3a中化学气相沉积的柱状SiC清晰可辨，SiC纤维外部的C涂层与 Ti6A14V基体之间形成了一层界面反应产物，电子衍射分析表明为TiC，见图3c。根据电子衍射实验，。 倍数较高，可以看出在大颗粒的TiC与C涂层之间，还有一些非常细小的TiC颗粒[4-91。 170 o￡∞．1ugc8— 图2制备态试样界面反应的形貌及元素分布 图3制各状态复合材料界面反应区的透射电镜形态和反应产物的电子衍射谱 对sic打i．6A14V复合材料进行高温长时间的热暴露后采用扫描电镜观察，发现热暴露使界面反 加热50小时，C涂层没有消耗完，此时测定界面反应区的元素分布，发现其组成元素仍为C和前。 8苟．芑m芒oo distance,岬 图410000(2热暴露50小时试样的界面反应层形态及其元素分布 从图4可见，在10000C加热50小时的情况下，SiC纤维的C涂层只剩非常少的一点，但界面反 在元素分布曲线上(图5b)可看出，在界面反应区内，Si的曲线有一个小峰值，表明可能有某种硅化 图5c。用扫描电镜测定了各个试样的界面反应厚度，并做出厚度与反应时间平方根的关系曲线，见 图6。在各温度下，该曲线均呈良好的线性关系，证明界面反应层的生长服从抛物线规律，是一个扩 散控制