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概述 M5358是一款高度集成的电流模式PWM控制芯 片，,内置高压MOS,适合应用于高性能、低待机 功耗，低成本,离线AC-DC反激式拓扑结构，推荐 应用于功率27瓦以内的各种变换器。 M5358提供完善的各种保护以及自恢复功能，包 括逐周期电流限制（OCP）,过载保护(OLP),VDD电压钳位和低电压锁定(UVLO)。电路具有抖频功 能以及软开关技术，保证了优秀的EMI性能，消 除了低于20KHz的音频噪声。M5358采用DIP8封 装。 特点 开关软启动可降低MOSFET的VDS压力 改善EMI的频率抖动技术 极低启动电流和工作电流 改善效率和待机功率最小化的扩展burst模式 消除音频噪声 50KHZ开关频率 完善的各种保护以及自恢复功能 逐周期电流限流 芯片供电欠压保护 自动重启功能 采用DIP-8 封装 应用 离线式AV-DC反激变换器 手机充电器，上网本充电器 笔记本适配器，机顶盒电源 典型应用电路图： 输出功率表 说明:连续工作的最大功率是在开放的 50 度环境中，且转换器有有足够的散热条件下测得。 各种开放式开关电源 产 品 230VAC±15% 85-265VAC 开放式 开放式 M5358PR 27W 16W 定购信息： 最大极限参数： 注：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精 度，但其典型值合理反映了器件性能。 管脚封装图管脚描述： 管脚名称 I/O 描述 GND P 芯片地 INV I 反馈信号输入端，PWM占空比由该脚的电压 以及SEN脚的电流决定 VDD-G P 内部栅极驱动电压 SEN I 电流采样信号输入端 VDD P 芯片电源 Drain O 内部高压功率管漏极， 该脚连接到变压器 的初级绕组输出端 定购型号 封装 温度范围 包装形式 M5358PR DIP8 -40 ℃到 105 ℃ 管装 50 颗/管 2000/盒 参数 数值 内部高压功率管漏极（启动） -0.3V ~ BVdss 芯片电源电压 -0.3V ~ 30 V 内部栅极驱动电压 -0.3V ~ 30 V VDD钳位电流 10mA INV输入电压 -0.3 ~ 7V SEN输入电压 -0.3 ~ 7V 最低/最高工作结温 -20 ~ 150℃ 最低/最高储存温度 -55 to 150℃ 过锡炉温度（10S） 260℃ 电气参数 （无特别说明情况下，VCC=16V, TA=25℃） 符号 参数描述 条件 最小值 典型值 最大值 单位 工作电压 I_start up VDD 启动电流 VDD=14.5V 5 20 uA I_VDD_Operation VDD 工作电流 V_INV = 3V 1.6 mA VDD_UVLO(ON) VDD 欠压保护（开启） 8.7 9.7 10.7 V VDD_UVLO(OFF) VDD 欠压保护（关闭） 14.6 15.8 17.0 V OVP（ON） VDD 过压保护（开启） CS=0V,INV=3V, 增 大 VDD 直到 GATE 时钟关闭 27 28.5 30 V VDD_Clamp VDD 钳位电压 IDD=10mA 30 V INV 反馈 VINV_OPEN INV 开环电压 5.4 5.7 6 V IINV_Short INV 短路电流 INV 接到地 1.45 mA VTH_OD 过零点门槛电压 0.8 V VTH_PL 功率限制门槛电压 3.7 V TD_PL 功率限制延迟时间 50 m Sec ZINV_IN 输入阻抗 4 K ohm 电流采样 Soft_start_time 软启动时间 4 m S T_blanking 电流采样前沿消隐时间 270 n s Z SEN_IN 输入阻抗 40 K ohm TD_OC 过电流检测迟滞时间 从过流开始到驱动 信号关闭 120 n s VTH_OC 内部电流限制门槛电压 0.72 0.77 0.82 V 时钟 F_osc 正常振荡频率 45 50 55 KHZ Δ f_Temp 频率温飘 5 % 符号 参数描述 条件 最小值 典型值 最大值 单位 Δ f_VDD 频率电压调整率 5 % D_MAX 最大占空比 V_INV=3.3V， CS=0V 70 80 90 % F_Burst Burst 模式基准频率 22 KHZ 功率 MOS BVdss 功率管击穿电压 600 V R ds_o